[发明专利]制备陶瓷糊浆、陶瓷坯料片和制造单块陶瓷电子元件方法

权利要求书

1．一种制备用于制造陶瓷电子元件的陶瓷糊浆的方法，该方法包括下列步骤：

混合并粉碎步骤：采用使用研磨介质的分散方法，混合并粉碎平均粒度为0.01-1微米的陶瓷粉末、溶剂和分散剂，制得混合和粉碎的糊浆；

高压分散步骤：在100kg/cm²或更高压力下，分散经混合和粉碎的糊浆以及经过滤的粘合剂溶液，制得最终的分散糊浆，经过滤的粘合剂溶液通过将粘合剂溶解在溶剂中随后过滤而制得。

2．一种制备用于制造陶瓷电子元件的陶瓷糊浆的方法，该方法包括下列步骤：

混合并粉碎步骤：采用使用研磨介质的分散方法，混合并粉碎经过滤的粘合剂溶液、平均粒度为0.01-1微米的陶瓷粉末、溶剂和分散剂，制得混合和粉碎的糊浆，经过滤的粘合剂溶液通过将粘合剂溶解在溶剂中随后过滤而制得；

高压分散步骤：在100kg/cm²或更高压力下，分散经混合和粉碎的糊浆，制得最终的分散糊浆。

3．一种制备用于制造陶瓷电子元件的陶瓷糊浆的方法，该方法包括下列步骤：

混合并粉碎步骤：采用使用研磨介质的分散方法，混合并粉碎平均粒度为0.01-1微米的陶瓷粉末、溶剂和分散剂，制得混合和粉碎的糊浆；

初级高压分散步骤：在100kg/cm²或更高压力下，分散经混合和粉碎的糊浆，制得初级分散糊浆；

二级高压分散步骤：在100kg/cm²或更高压力下，分散初级分散糊浆和经过滤的粘合剂溶液，制得最终的分散糊浆，经过滤的粘合剂溶液通过将粘合剂溶解在溶剂中随后过滤而制得。

4．一种制备用于制造陶瓷电子元件的陶瓷糊浆的方法，该方法包括下列步骤：

初级混合并粉碎步骤：采用使用研磨介质的分散方法，混合并粉碎平均粒度为0.01-1微米的陶瓷粉末、溶剂和分散剂，制得初级混合和粉碎的糊浆；

二级混合和粉碎步骤：采用使用研磨介质的分散方法，混合并粉碎经过初级混合和粉碎的糊浆以及经过滤的粘合剂溶液，制得二级混合和粉碎的糊浆，经过滤的粘合剂溶液通过将粘合剂溶解在溶剂中随后过滤而制得；

高压分散步骤：在100kg/cm²或更高压力下，分散经二级混合和粉碎糊浆，制得最终的分散糊浆。

5．如权利要求1-4中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述经过滤的粘合剂溶液，通过将溶剂和粘合剂混合，在100kg/cm²或更高压力下进行高压分散，随后过滤而制得。

6．如权利要求1-4中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述经过滤的粘合剂溶液通过在40-100℃回流包含溶剂和粘合剂混合物的粘合剂溶液，随后过滤而制得。

7．如权利要求1-6中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述经过滤的粘合剂溶液通过使用孔径为2微米或更小的滤器，以99％的滤除精度进行过滤而制得。

8．如权利要求1-7中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述最终的分散糊浆的粘度为0.03-0.1Pa·s。

9．如权利要求1-8中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述使用研磨介质的分散方法是使用球磨或珠磨中的一种的方法。

10．如权利要求1-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于所述分散剂是阴离子分散剂，设定其加入量，使得阴离子分散剂的总酸量为陶瓷粉末总碱量的10-150％。

11．如权利要求1-10中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法，其特征在于所述最终的分散糊浆用于成形陶瓷坯料片，防止粒度大于成形的陶瓷坯料片厚度的物质存在于陶瓷糊浆中。

12．一种制备陶瓷糊浆的方法，该方法包括使用孔径小于形成的陶瓷坯料片厚度的5倍的滤器，以99％滤除精度，过滤按照权利要求1-11中任一权利要求所述的制备陶瓷糊浆的方法制得的陶瓷糊浆的步骤。

13．一种形成厚度为0.1-10微米的陶瓷坯料片的方法，该方法包括将按照权利要求1-12中任一权利要求所述的方法制得的陶瓷糊浆，在预定基材上成形为片材的步骤。

14．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：使用如权利要求1-12中任一权利要求所述的方法制得的陶瓷糊浆，制成陶瓷坯料片；将该陶瓷坯料片与包含贱金属的内电极层叠在一起，随后切割和烧结；形成外电极。