[发明专利]磁电阻元件和磁存储装置

权利要求书

1.一种磁电阻元件，其特征在于：

具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结；

上述第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜构成；

在上述第一至第三铁磁层中流过隧道电流。

2.如权利要求1所述的磁电阻元件，其特征在于：

上述的Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜的膜厚是1-5nm。    

3.一种磁存储装置，其特征在于：

包含配置成阵列状的如权利要求1所述的磁电阻元件、和晶体管或二极管的存储单元。    

4.如权利要求3所述的磁存储装置，其特征在于：

上述磁电阻元件中的至少最上面的反铁磁层构成数据线的一部分。

5.一种磁电阻元件，其特征在于：

具有由第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第一反铁磁层/第三铁磁层/第二介电层/第四铁磁层叠层的铁磁性双隧道结；

上述第一和第四铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜构成；

上述第一至第四铁磁层中流过隧道电流。

6.如权利要求5所述的磁电阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜的膜厚是1-5nm。

7.一种磁存储器，其特征在于：

包含配置成阵列状的如权利要求5所述的磁电阻元件、和晶体管或二极管的存储单元。

8.一种磁电阻元件，其特征在于：

具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二反铁磁层/第三铁磁层/第二介电层/第四铁磁层/第三反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结；

上述第一和第四铁磁层或上述第二和第三铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜构成；

在上述第一至第四铁磁层中流过隧道电流。

9.如权利要求5所述的磁电阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜的膜厚是1-5nm。    

10.一种磁存储装置，其特征在于：

包含配置成阵列状的如权利要求8所述的磁电阻元件、和晶体管或二极管的存储单元。    

11.如权利要求10所述的磁存储装置，其特征在于：

上述磁电阻元件中的至少最上面的反铁磁层构成数据线的一部分。

12.一种磁电阻元件，其特征在于：    

具有由第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第一非磁性层/第三铁磁层/第二非磁性层/第四铁磁层/第二介电层/第五铁磁层叠层的铁磁性双隧道结；

互相邻接的第二、第三和第四铁磁层通过非磁性层反铁磁性耦合，上述第一和第五铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜构成；

在上述第一至第五铁磁层中流过隧道电流。

13.如权利要求12所述的磁电阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三层膜的膜厚是1-5nm。

14.一种磁存储器，其特征在于：

包含配置成阵列状的如权利要求12所述的磁电阻元件、晶体管或二极管的存储单元。

15.一种磁电阻元件，其特征在于：

具有磁化方向锁定的第一磁化锁定层、第一介电层、磁化方向可反转的磁记录层、第二介电层和磁化方向锁定的第二磁化锁定层；

上述磁记录层包含磁性层、非磁性层和磁性层三层膜，构成该三层膜的两个磁性层反铁磁性耦合；

连接上述两个磁化锁定层的介电层的区域的磁化方向基本是反平行的。

16.一种写入磁存储装置的方法，其特征在于：

在通过构成如权利要求15所述的磁存储装置的上述第一或第二磁化锁定层向上述磁记录层供给自旋电流的同时，使电流流过写入用的配线，从而将电流磁场加在上述磁记录层上。