[发明专利]硅基蓝－紫光发光材料及其制备工艺无效
| 申请号： | 00135466.3 | 申请日： | 2000-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1358820A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王志光;金运范;谢二庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | C09K11/00 | 分类号： | C09K11/00 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基蓝 紫光 发光 材料 及其 制备 工艺 | ||
1、一种新型硅基蓝—紫光发光材料，其特征在于在单晶硅基片层(1)上设有发光层(2)，在发光层(2)上设有薄膜保护层(3)。
2、如权利要求1所述的新型硅基蓝—紫光发光材料，其特征在于所述的发光层(2)为CxSiyO1-x-y结构。
3、如权利要求1所述的新型硅基蓝—紫光发光材料，其特征在于所述的薄膜保护层(3)具有类SiO2结构。
4、如权利要求1所述的新型硅基蓝—紫光发光材料，其特征在于所述的薄膜保护层(3)的厚度为0.08-2.0μm，发光层(2)厚度为0.05-4.0μm，发光中心微区面密度为1×109-1×1015cm-2，发光波长为370nm-470nm。
5、一种权利要求1所述的新型硅基蓝—紫光发光材料的制备工艺，其特征在于包括下述步骤：先将单晶硅片在高温加气氛下进行热处理；然后将预处理后的单晶硅片注入离子进行掺杂；再用高能重离子对掺杂硅片进行辐照。
6、如权利要求5所述的新型硅基蓝—紫光发光材料的制备工艺，其特征在于所述的单晶硅片的热处理温度为700-1300℃，气氛为高纯氧气或高纯水蒸汽。
7、如权利要求5所述的新型硅基蓝—紫光发光材料的制备工艺，其特征在于所述的预处理后的硅片掺杂是采用碳离子进行注入，其能量为10KeV-5MeV。
8、如权利要求5所述的新型硅基蓝—紫光发光材料的制备工艺，其特征在于所述的掺杂后硅片进行重离子辐照时，其辐照能量为100MeV-3.0GeV。
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