[发明专利]纳米银基电接触合金及其制备工艺

权利要求书

1、纳米晶银基电接触合金的制备工艺，首先将Ag粉、Sn粉、SnO₂粉和InO₂粉等粉末进行高能球磨，然后经冷压、烧结成坯，最后经热挤压、热拉拔、轧制或镦制等常规工艺成型，其特征在于，将重量比分别为80～95％的Ag粉、0～15％的Sn粉、0～15％的SnO₂粉、0～5％的InO₂粉等粉末在空气或氩气环境中高能球磨。高能球磨工艺为：球料比10～100∶1，相应的球磨时间为2～30小时(球料比越大，球磨时间越短)。球磨后粉末的颗粒尺寸为5～50μm，每个粉末颗粒中都为SnO₂、InO₂纳米粒子弥散分布于纳米晶银基体中，SnO₂和InO₂的重量比为5～20％。球磨后的纳米复合粉末(可经过预先退火)经20～100MPa冷压、在300～800℃烧结成坯。

2、根据权利要求1所述的纳米晶银基电接触合金的制备工艺，其特征在于，将重量比分别为80％的Ag粉、12％的SnO₂粉、4％的InO₂粉在氩气环境中高能球磨。采用搅拌式高能球磨机，球料比为80∶1，转速300转/分，球磨时间为3小时。球磨后粉末的颗粒尺寸为5～50μm，粉末中为SnO₂、InO₂纳米粒子弥散分布于纳米晶银基体中，SnO₂和InO₂的重量比为16％。球磨后的粉末在100MPa冷压、在450℃烧结成坯。

3、根据权利要求1所述的纳米晶银基电接触合金的制备工艺，其特征在于，将重量比为90％的Ag粉和10％的Sn粉在空气中高能球磨。采用振动式球磨机，球料比60∶1，球磨时间8小时，振动频率200s^-1。球磨后粉末的颗粒尺寸为5～50μm，每个粉末颗粒中都为SnO₂纳米粒子弥散分布于纳米晶银基体中，SnO₂的重量比约为12％。球磨后的纳米复合粉末在150℃退火1小时，在50MPa冷压、450℃烧结成坯。

4、根据权利要求1所述的纳米晶银基电接触合金的制备工艺，其特征在于，将重量比分别为80％的Ag粉、2％的Sn粉、12％的SnO₂粉在低氧气氛中高能球磨。采用行星式高能球磨机，球料比为40∶1，转速60转/分，球磨时间为12时。球磨后粉末的颗粒尺寸为5～50μm，粉末中为SnO₂纳米粒子弥散分布于纳米晶银基体中，SnO₂的重量比为14％。球磨后的粉末在100MPa冷压、在450℃烧结成坯。

5、一种纳米晶银基电接触合金，其特征在于，合金内含有80～95％的Ag粉、0～15％的Sn粉、0～15％的SnO₂粉、0～5％的InO₂粉，SnO₂和InO₂的重量比为5～20％，纳米SnO₂(InO₂)颗粒均匀分布于Ag基体中。

6、根据权利要求5所述的纳米晶银基电接触合金，其特征在于，合金内含有80％的Ag粉、12％的SnO₂粉、4％的InO₂粉，SnO₂和InO₂的重量比为16％，AgSnO₂10InO₂4触点合金为纳米SnO₂、InO₂粒子均匀分布在Ag基体中。

7、根据权利要求5所述的纳米晶银基电接触合金，其特征在于，合金内含有90％的Ag粉和10％的Sn粉，SnO₂的重量比约为12％。AgSnO₂12触点合金为纳米SnO₂粒子均匀分布在Ag基体中。

8、根据权利要求5所述的纳米晶银基电接触合金，其特征在于，合金内含有80％的Ag粉、2％的Sn粉、12％的SnO₂粉，SnO₂的重量比为14％,AgSnO₂14触点合金为纳米SnO₂粒子均匀分布在Ag基体中。