[实用新型]可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路

说明书

本实用新型涉及可控硅并联逆变中频电源。

可控硅并联逆变中频电源是将工频交流电经整流、滤波，再由逆变桥变换为负载所需的交流电压和频率，供负载感应加热的装置。工作时，构成逆变桥的四只可控硅在可控硅触发脉冲控制电路控制下，分作两对轮流导通和关断。当处于阻断状态的一对可控硅存某一正向电压下受到脉冲触发由断态转为导通时，则另一对原先导通的可控硅将承受同样幅度的反向电压而恢复阻断。因此如果处于阻断状态的可控硅在高正压下被触发导通，就意味着另一对导通的可控硅在高反压下关断，这对可控硅就有可能因反向毛刺加上反向电压的幅度超过可控硅的反向承受能力而被击穿。由于目前的控制电路不具有防止过压的功能，它不区别可控硅端压高低，直接发送脉冲触发可控硅，因此常发生可控硅被高反压击穿事故，直接影响了可控硅并联逆变中频电源安全可靠运行。

本实用新型的目的是提供一种可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路，它能有效地防止可控硅被高反压击穿，确保安全可靠运行。

本实用新型提供的设在可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路包括脉冲变压器，端压检测电路，脉冲形成电路，脉冲记忆电路及可控硅驱动电路，由端压检测电路对并联逆变中频电源中逆变桥的可控硅端压进行取样并与设定值比较，输出反应可控硅端压高、低的逻辑电平输入脉冲形成电路，脉冲记忆电路接收来自脉冲变压器的脉冲信号和可控硅驱动电路的复位信号，产生与输入信号相应的逻辑电平输入脉冲形成电路，脉冲形成电路输出的触发脉冲经可控硅驱动电路功放后去触发逆变桥的可控硅。

工作时，由端压检测电路对逆变桥的可控硅端压进行取样，并与设定值比较后输出反应可控硅端压高、低的逻辑电平输入脉冲形成电路，脉冲记忆电路接收来自脉冲变压器的脉冲信号和可控硅驱动电路的复位信号，据此产生相应的逻辑电平输入脉冲形成电路，脉冲形成电路的输出取决于输入的逻辑电平信号，仅在可控硅的端压低于设定值且脉冲记忆电路表明脉冲变压器已送出脉冲信号时才输出触发脉冲，该触发脉冲经可控硅驱动电路进行功率放大后去触发逆变桥的可控硅，可控硅驱动电路在触发可控硅的同时产生复位信号输入脉冲记忆电路。

本实用新型的可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路，由于在工作时随时检测可控硅端压的高低，仅在可控硅端压低于设定值即在安全电压下才允许触发脉冲去触发可控硅，因此可防止高反压关断可控硅，避免了可控硅被高反压击穿，从而可确保可控硅并联逆变中频电源安全可靠运行。

以下结合附图对本实用新型作进一步详细描述。

图1是本实用新型构成原理方框图；

图2是本实用新型一种具体实施电路图。

参照图1，本实用新型的可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路，包括脉冲变压器T1，端压检测电路4，脉冲形成电路3，脉冲记忆电路2及可控硅驱动电路5，工作时，由端压检测电路4对可控硅S的端压进行取样，并与设定值进行比较，假设当取样值高于设定值时，端压检测电路的输出为某一逻辑电平，称之为“危险电平”，当取样值低于设定值时，端压检测电路的输出为另一逻辑电平，称之为“安全电平”，端压检测电路输出的逻辑电平信号输入脉冲形成电路3。脉冲记忆电路2接收来自脉冲变压器的脉冲信号和可控硅驱动电路5的复位信号，假设脉冲信号到来时，脉冲记忆电路输出为某一逻辑电平，称之为“允许电平”，输入复位信号时，脉冲记忆电路输出为另一逻辑电平，称之为“等待电平”，脉冲记忆电路输出的逻辑电平信号输入脉冲形成电路3。脉冲形成电路3的输出取决于输入的逻辑电平信号，仅在来自脉冲记忆电路2的信号为“允许电平”且来自端压检测电路4的信号为“安全电平”时，才产生触发脉冲，该触发脉冲经可控硅驱动电路5进行功率放大，达到触发可控硅所需的电压和电流去触发可控硅，可控硅驱动电路5在触发可控硅的同时产生复位信号输入脉冲记忆电路2。这时，脉冲记忆电路处在等待下一个脉冲到来的状态。

为使可控硅驱动电路输出的较大功率触发脉冲不干扰对电源容量要求小但稳定性要求较高的脉冲记忆电路、脉冲形成电路及端压检测电路的正常工作，通常，以采用分别供电为好，可如图1所示，在控制电路中再设置辅助电源电路1，由其产生控制电源供给脉冲记忆电路、脉冲形成电路、端压检测电路，产生驱动电源供给可控硅驱动电路。

图2是本实用新型的一种具体实施电路图，此例中设有辅助电源电路1，脉冲变压器T1输出的脉冲信号输入辅助电源电路，通过二极管D1对电容C1充电并经电阻R1、电容C2滤波后作为辅助控制电源VCC；经二极管D2对电容C3充电储能，作为辅助驱动电源，提供触发可控硅所需的能量。