[实用新型]高可靠低畸变电子镇流器

权利要求书

1、一种高可靠低畸变电子镇流器，主要包括有低频整流电路及脉冲发生器，该低频整流电路主要包括有整流二极管D₁～D₄组成的整流电路及输出电阻R₃两输出端，该脉冲发生器主要包括两个晶体管GB₁、GB₂、脉冲变压器B₁及串联在脉冲变压器B1输出端的高频电感L₂，其特征是：

该低频整流电路输入端串联一阻抗回路I，并联一阻抗回路II；该脉冲发生器的两晶体管GB₁、GB₂与脉冲变压器B₁的两反馈绕组间分别串联有电荷存储时间均衡电路，在两晶体管GB₁、GB₂的发射极分别串联有一反馈电路R_A、R_B，在一晶体管GB₂发射极再连接一过温度过功率保护电路。

2、根据权利要求1所述的高可靠低畸变电子镇流器，其特征是：该阻抗回路I是由低频整流电路输入端串联一低频电感L₁，该低频电感L₁两端并联一串联有电阻R₁的电容C₁所构成的并联谐振阻抗电路；该阻抗回路II是由低频电感L₁串联电容C₂、电阻R₂组成的串联谐振阻抗电路。

3、根据权利要求1所述的高可靠低畸变电子镇流器，其特征是：该电荷存储时间均衡电路是于脉冲发生器电路中的两晶体管GB₁、GB₂的基极和发射极间分别并联一只电容C₇、C₈，并在晶体管GB₁、GB₂的基极与脉冲变压器B₁的反馈绕组间分别跨接串联的电阻R₁₂、R₁₄与串联的电阻R₁₃、R₁₅，在其串联的电阻R₁₄、R₁₅两端分别并联有电容C₉、C₁₀。

4、根据权利要求1所述的高可靠低畸变电子镇流器，其特征是：该反馈电路R_A、R_B是于脉冲发生器电路中两晶体管GB₁、GB₂的发射极电路中分别串联有负反馈电阻R₁₀、R₁₁。

5、根据权利要求1所述的高可靠低畸变电子镇流器，其特征是：该过温度过功率保护电路是于脉冲发生器电路中的一晶体管GB₂的发射极连接的负反馈电阻R₁₁两端并联一串联的电阻R₈、整流二极管D₈及电阻R₉，该电阻R₉的两端并联一电解电容器C₆，该晶体管GB₂的集电极与低频整流电路的直流供电负端R₃的一端并联一在阳极电路中串联有限流电阻R₆的单向可控硅D₆，该可控硅D₆的栅极接在电阻R₈、R₉和电解电容器C₆的连接点上，该可控硅D₆的阴极接在低频整流电路的直流供电负端R₃的一端。

6、根据权利要求1所述的高可靠低畸变电子镇流器，其特征是：该高频电感L₂是采用可调圆形磁芯，于工型骨架上绕制而成，该磁芯导磁系数为2000。