[实用新型]晶体的高温退火炉无效
申请号: | 00216702.6 | 申请日: | 2000-03-03 |
公开(公告)号: | CN2408570Y | 公开(公告)日: | 2000-11-29 |
发明(设计)人: | 徐军;周国清;邓佩珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 高温 退火炉 | ||
1.一种晶体的高温退火炉,包括:
<1>置于带排气口(17)的台板(16)上并与台板(16)密封接触的带有充气阀(3)的钟罩(1),在钟罩(1)内置有由支撑架(14)支撑的带通到钟罩(1)外电极柱(15)的电极板(11);
<2>在钟罩(1)内电极板(11)的中心位置上,置有带冷却管柱(12)的埚托(10),埚托(10)的上面置有置放待退火晶体(7)的垫板(9),靠近待退火晶体(7)处有伸到钟罩(1)外的热电偶(8);
<3>待退火晶体(7)的顶上及周围置有由保温盖(2)和保温筒(4)构成的保温罩(18),电极板(11)的支撑架(14)与埚托(10)的冷却管柱(12)之间置有保温屏(13);
其特征在于:
<4>在保温筒(4)与待退火晶体(7)之间,置有圆形对称的与电极板(11)直接连接的发热体(5);
<5>在发热体(5)与待退火晶体(7)之间置有与发热体(5)同是圆形对称的直径Dh小于发热体(5)的直径Df,大于待退火晶体(7)直径Di的恒温筒(6);
<6>上述的发热体(5)、恒温筒(6)、埚托(10)、置于埚托(10)上面的垫板(9)以及置于垫板(9)上的待退火晶体(7)均与钟罩(1)和保温罩(18)是同一中心轴线(OO)。
2.根据权利要求1所述的晶体的高温退火炉,其特征在于所说的带电极柱(15)的电极板(11),恒温筒(6)以及置于埚托(10)上面的垫板(9)均是由同一种材料的钼,或钨,或钽构成。
3.根据权利要求1所述的晶体的高温退火炉,其特征在于所说的埚托(10)是由耐高温绝缘材料的氧化锆,或氧化铝,或铝酸镁,或高温陶瓷构成。
4.根据权利要求1所述的晶体的高温退火炉,其特征在于所说的构成保温罩(18)的保温盖(2)和保温筒(4)是由多层高温材料的刚玉板,或钼片,或钨片构成。
5.根据权利要求1所述的晶体的高温退火炉,其特征在于所说的恒温筒(6)的直径Dh小于发热体(5)的直径Df是(Df-Dh)/2=30mm~100mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00216702.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:汽车空调涡旋式制冷压缩机涡旋盘的密封装置
- 下一篇:桑那浴室通风装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造