[实用新型]直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器

权利要求书

1．一种直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器，由砷化镓开关场效应晶体管、微带线、共面波导、电阻等所组成，其特征在于该衰减器以输入端接口(1)为信号输入端，输入端接口(1)的输出端接串接单元(2)的输入端，串接单元(2)的输出端接输出端接口(3)的输入端，输出端接口(3)的输出端为信号输出端，并接单元控制端(4)与串接单元(2)相接，串接单元控制端(5)分别与输入端接口(1)和输出端接口(2)相接。

2．根据权利要求1所述的直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器，其特征在于在输入端接口(1)的共面波导G1的一端为信号输入端，另一端接微带线X1，微带线X1的另一端接场效应晶体管T1的源极，场效应晶体管T1的漏极与串接单元(2)中的微带线X2相接，场效应晶体管T1的栅极通过电阻R3与控制端V1相接，输出端接口(3)与输入端接口(2)完全相同，对称于串接单元(2)并位于串接单元(2)的输出端。

3．根据权利要求1或2所述的直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器，其特征在于串接单元(2)中的微带线X2、X3、X4、X5、X6串联连接，场效应晶体管T3～T10的栅极分别对应通过电阻R5～R12与控制端V2相接，场效应晶体管T3～T10的漏极接地，源极接微带线。