[实用新型]多靶磁控溅射卷绕镀膜机无效

专利信息
申请号: 00225251.1 申请日: 2000-07-18
公开(公告)号: CN2433262Y 公开(公告)日: 2001-06-06
发明(设计)人: 彭晶;胡浩龙;李伟 申请(专利权)人: 湖南三才科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/56
代理公司: 湖南省专利服务中心 代理人: 唐国平
地址: 410007 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射 卷绕 镀膜
【权利要求书】:

1、一种多靶磁控溅射卷绕镀膜机,包括有卷绕室和镀膜室以及辅助装置,在镀膜室中围绕冷却辊设置多个磁控溅射靶,每两个磁控溅射靶之间设置有隔离槽,该隔离槽与抽气装置联通,在隔离槽上设有抽气孔与靶室相通,隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm,每一磁控溅射靶配有设置在隔离槽上的工艺气体布气管,其特征在于,设置在镀膜室中的多个磁控溅射靶,其中至少有两对孪生中频磁控溅射靶和至少三个直流磁控溅射靶。

2、根据权利要求1所述的多靶磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于,将隔离槽上排成一排的抽气孔的孔面积从抽气端起依次呈几何级数地逐渐增大,同时还在每个隔离槽上设置冷却水管。

3、根据权利要求1、2所述的多靶磁控溅射卷绕镀膜机,其特征在于,在卷绕室中设置通过测量膜层透光率来分别监控正向镀过程和反向镀过程的两套实时监控探头,并将与此相适应配置的传动装置采用正、反向收放传动。

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