[实用新型]非晶系A1InGaN发光二极管结构

说明书

本实用新型涉及一种发光二极管的结构。

化合物半导体组件在通讯及显示器方面有广泛的用途，近年来由于对蓝光光源的需求，氮化镓系III-V族化合物半导体(GaN based III-Vcompound semiconductor)由于是直接能隙，且具有2．0-6．4eV的能隙范围，因此更是成为研发的重点。氮化镓系III-V族化合物半导体一般主要组成成份为氮化铟镓，氮化铝镓及氮化铝铟镓。

美国专利NO，5，563，422由日本Nichia公司所提出的专利，揭示了一种氮化镓系III-V族化合物半导体制造方法，其明确使用单晶氮化镓系III-V族化合物半导体制作发光二极管，然而，使用单晶氮化镓系化合物半导体制作组件会有成本高，合格率低的问题。因此本实用新型的目的即在提供一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，以改善良好率并降低成本。

为达此目的，本实用新型揭示一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，具有低成本及高良好率的优点。

为达此目的，本实用新型揭示非晶系AlInGaN发光二极装置，包括：在一蓝宝石基板上依序形成的一n型非晶系化合物半导体层、一p／n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。借以在其间提供pn接面，以实现低成本及高良好率的非晶系AlInGaN发光二极管结构。

为使本实用新型的步骤，功效及特点更为人所了解，此举实施例并配合附图，说明本实用新型的较佳实现方式：

图1为依据本实用新型(非晶系AlInGaN发光二极管结构)一具体实例组件结构图。

较佳具体实例详细说明

参见图1，依据本实用新型(非晶系AlInGaN发光二极管结构)第一具体实例组件结构图。在一蓝宝石基材200，可用气相成长等方式长成一n型非晶系化合物半导体层202，一p／n非晶系化合物半导体层204，一非晶系化合物半导体杂质掺杂层206，第二p型非晶系化合物半导体层208及第一p型非晶系化合物半导体层210。其中n型非晶系化合物半导体层202系作为缓冲层；p／n非晶系化合物半导体层204作为下侧覆盖层；非晶系化合物半导体杂质掺杂杂层206具有低阻抗以作为发光层；第二p型非晶系化合物半导体层208作为上侧覆盖层；第一p型非晶系化合物半导体层210作为电极层并提供pn接面。

其中p型杂质可为锌，镁，铍，锶及／或镉。n型杂质可为硅，锗，锡，硫，碲及／或硒。且在加入杂质后，可进行601．0-1200，1-50分钟呈热，退火或是电子束射击步骤(electron-beam shooting)。

另外气相成长气体包含氨(ammonia)或肼(hydrazine)或氨-肼(ammonia-hydrazine)结合三甲基铝(trimethylaluminum)，并加入三甲基镓(trimethyl gallium)，及／或三乙基镓(triethylgallium)。或是气相成长气体包含混合后使用的三乙基锌(diethyl-zinc)，三甲基锌(trimethl-zinc)，三甲基铟(trimethl-indium)，环戌基二乙基镁(cyclopentadienyl-magnesium)。

综上所述，借由本实用新型的”非晶系AlInGaNv发光二极管结构”，可以大幅降低成本，并且提高良率。

按以上所述，仅为本实用新型的一具体实施例，但本实用新型的材料，流程并不局限于此，因此任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所实施的变化或修饰皆被涵盖在本案的专利范围内。