[实用新型]一组可控硅投切多路电容补偿装置

说明书

本实用新型涉及无功补偿设备，尤其是涉及一种一组可控硅投切多路电容补偿装置。

在自动无功补偿柜中，通常投切电容有两种方法，一种采用交流接触器投切，另一种采用可控硅作开关元件投切，但这两种方法都有其不足之处。交流接触器投切电容会产生很大涌流，故障率高；可控硅过零投切，虽然无涌流，但成本高，功耗大，并产生谐波。

本实用新型的目的在于提供一种投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的一组可控硅投切多路电容补偿装置。

本实用新型的目的是这样实现的：本实用新型包括控制器、电容和交流接触器，特征是在交流接触器和三相电源之间串接有一组由双向可控硅模块、常开开关和常闭开关组成的可控硅控制电路。

该可控硅控制电路可投切两路或两路以上的电容。

本实用新型采用一组可控硅控制电路在控制器的控制下可转换投切多路电容，使电容在交流接触器闭合下运行，可控硅仅在投切时接入主回路中，因此本实用新型具有投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的优点，广泛适用于各种全自动无功补偿柜中。

图1为本实用新型的结构示意图。

下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。

本实用新型包括控制器、电容C1、C2、交流接触器KM1、KM2，在三相电源线a、b、c和交流接触器KM1之间、三相电源线a、b、c和交流接触器KM2之间均串接有同一组由两个可控硅模块KQ1、KQ2、联动常开开关QM1-1、QM1-2、联动常闭开关BM1-1、BM1-2组成的可控硅控制电路，其中常开开关QM1-1的一端接三相电源a相线的接点A3，另一端接交流接触器KM1的开关接点A2，双向可控硅模块KQ1的一端与接点A3相接，另一端与接点A1相接，常闭开关BM1-1串接在接点A2和A1之间，常开开关QM1-2的一端接三相电源b相线的接点B3，另一端接交流接触器KM1的开关接点B2，双向可控硅模块KQ2的一端与接点B3相接，另一端与接点B1相接，常闭开关BM1-2串接在接点B2和B1之间，交流接触器KM1的开关接点X1接三相电源的c相线，常开开关QM2-1串接在接点A3和交流接触器KM2的开关接点A4之间，常开开关QM2-2串接在接点B3和交流接触器KM2的开关接点B4之间，常闭开关BM2-1串接在接点A1和A4之间，常闭开关BM2-2串接在接点B1和B4之间，交流接触器KM2的开关接点X2接三相电源的c相线。

依次类推，常开开关QMn-1(n≥2)串接在接点A3和交流接触器KMn的开关接点An-2之间，常开开关QMn-2串接在接点B3和交流接触器KMn的开关接点Bn-2之间，常闭开关BMn-1串接在接点A1和An-2之间，常闭开关BMn-2串接在接点B1和Bn-2之间，交流接触器KMn的开关接点X2接三相电源的c相线。

双向可控硅模块KQ1、KQ2、交流接触器KM1、KM2、……KMn、常开开关QM1-1、QM1-2、QM2-1、QM2-2、……QMn-1、QMn-2、常闭开关BM1-1、BM1-2、BM2-1、BM2-2、……BMn-1、BMn-2均受控制器控制。

本实用新型的转换投切过程如下：

1、投切电容C1过程：先将交流接触器KM1闭合，双向可控硅模块KQ1、KQ2电压过零导通，电容C1通过交流接触器KM1、双向可控硅模块KQ1、常闭开关BM1-1及双向可控硅模块KQ2、常闭开关BM1-2与三相电源接通，电容C1投入补偿无功，然后常开开关QM1-1、QM1-2闭合，双向可控硅模块KQ1、KQ2断开，常闭开关BM1-1、BM1-2也随后断开，电容C1转接在常开开关QM1-1、QM1-2、交流接触器KM1下运行，可控硅模块KQ1、KQ2退出。

2、投切电容C2过程：先将KM2闭合，KQ1、KQ2电压过零导通，C2投入补偿无功，然后QM2-1、QM2-2闭合，KQ1、KQ2断开，BM2-1、BM2-2也随后断开，C2转接在QM2-1、QM2-2、KM2下运行，KQ1、KQ2退出。

重复以上过程，可根据需要投切n路电容。

3、切除电容C1过程：先将BM1-1、BM1-2闭合，KQ1、KQ2导通，QM1-1、QM1-2断开，C1转回到KQ1、KQ2可控硅回路中，KQ1、KQ2电流过零切除C1，KM1断开，完成C1切除过程。

4、切除电容C2过程：先将BM2-1、BM2-2闭合，KQ1、KQ2导通，QM2-1、QM2-2断开，C2转回到KQ1、KQ2回路中，KQ1、KQ2电流过零切除C2，KM2断开，完成C2切除过程。