[实用新型]一组可控硅投切多路电容补偿装置无效

专利信息
申请号: 00259313.0 申请日: 2000-11-23
公开(公告)号: CN2454972Y 公开(公告)日: 2001-10-17
发明(设计)人: 刘建新 申请(专利权)人: 刘建新
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18
代理公司: 江西省专利事务所 代理人: 张文
地址: 518031 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一组 可控硅 投切多路 电容 补偿 装置
【权利要求书】:

1、一种一组可控硅投切多路电容补偿装置,包括控制器、电容(C1、C2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2),其特征在于:在三相电源(a、b、c)相线和电容(C1、C2)之间接有一组由两个可控硅模块(KQ1、KQ2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2)组成的可控硅控制电路,其中双向可控硅模块(KQ1)的一端接三相电源(a)相线的接点(A1),另一端与交流接触器(KM1)的常开开关(KM1-1)和交流接触器(KM2)的常开开关(KM2-1)的公共接点(A2相接,常开开关(KM1-1)串接在接点(A2)和电容(C1)的接点(A3)之间,常开开关KM2-1)串接在接点(A2)和电容(C2)的接点(A4)之间,交流接触器(QM1)的常开开关(QM1-1)并联在接点(A1)和(A3)之间,双向可控硅模块(KQ2)的一端接三相电源(c)相线的接点(B1),另一端与常开开关(KM1-2)和常开开关(KM2-2)的公共接点(B2)相接,常开开关(KM1-2)串接在接点(B2)和(B3)之间,常开开关(KM2-2)串接在接点(B2)和(B4)之间,常开开关(QM1-2)并联在接点(B1)和(B3)之间,交流接触器(QM2)的常开开关(QM2-1)并联在接点(A1)和(A4)之间,常开开关(QM2-2)并联在接点(B1)和(B4)之间,电容(C1)的接点(D2)、电容(C2)的接点(D3)均接三相电源(c)相线的接点(D1)。

2、如权利要求1所述的一组可控硅投切多路电容补偿装置,其特征在于:可控硅控制电路可投切两路或两路以上电容。

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