[实用新型]讯号检测棒

权利要求书

1、一种讯号检测棒，其特征在于它至少包含：

一讯号输入端，分别耦接至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端与一P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的极端分别并接五个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端分别并接五个运算放大器：及

多个发光二极管，用于检测输入电压逻辑电平的第1,2半导体发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极端，第3,4,5,6发光二极管分别耦接至该前四个D型触发器的反相输出端，用于显示输入电压范围的第7,8,9,10，11发光二极管分别耦接至该五个运算放大器的输出端。

2、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“1”时，耦接至该第一N通道增强型金属氧化物半导体晶体管的源极端的该第1发光二极管导通发光。

3、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“0”时，耦接至该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该第2发光二极管导通发光。

4、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入，当它为脉冲讯号时，耦接至该前四个D型触发器的反相输出端的该第3，4,5,6发光二极管分别依序闪烁成波浪状。

5、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于1.5伏特电压时，第7发光二极管导通发光。

6、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于2.5伏特电压时，第8发光二极管导通发光。

7、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于3.3伏特电压时，第9发光二极管导通发光。

8、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入电压，当它大于5伏特电压时，第10发光二极管导通发光。

9、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于所述的定义该讯号输入电压，当它大于11伏特电压时，第11发光二极管导通发光。

10、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供5伏特的工作电压至该第1,2,3,4,5,6发光二极管。

11、如权利要求1所述的讯号检测棒，其特征在于它还提供12伏特的工作电压至该第7,8,9,10,11发光二极管。

12、一种讯号检测棒，其特征在于它至少包含：

一讯号输入端，它分别耦接至第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端与一P通道增强型金属氧化物半导效应晶体管的栅极端，该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端与第二N通道增强型金属氧化物效应晶体管的栅极端耦接，该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端分别并接多个D型触发器，该P通道增强型金属氧化物场效应晶体管的漏极端分别并接多个运算放大器；及

多个发光二极管，二个该发光二极管分别耦接至该第一与第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端，多个发光二极管分别耦合至该多个D型触发器的反相输出端，多个发光二极管分别耦合至该多个运算放大器的输出端。

13、如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“1”时，耦接至该第一N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该发光二极管导通发光。

14、如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入逻辑电平，当它为“0”时，它耦合至该第二N通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端的该发光二极管导通发光。

15、如权利要求12所述的讯号检测棒，其特征在于所述的讯号输入，当它为脉冲讯号时，它耦接至该多个D型触发器的反相输出端的该多个发光二极体分别依序闪烁成波浪状。