[实用新型]车载调频接收机用超小型电子调谐FM高频头无效
申请号: | 00268065.3 | 申请日: | 2000-12-22 |
公开(公告)号: | CN2461208Y | 公开(公告)日: | 2001-11-21 |
发明(设计)人: | 柳成根 | 申请(专利权)人: | 深圳市宝安区沙井镇黄埔太峰电子厂 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16 |
代理公司: | 深圳市专利服务中心 | 代理人: | 戎佩庄,王锁林 |
地址: | 518125 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 车载 调频 接收机 超小型 电子 调谐 fm 高频头 | ||
本实用新型涉及汽车收音机,特别是一种车载调频接收机用超小型电子调谐FM高频头。
现有汽车用收音机FM高频头一般采用卧式或者坐式结构,占用汽车收音机主板面积分别为41×23mm2、41×11mm2。这种结构FM高频头占用汽车收音机主机板面积大,对汽车收音机的内部空间的活用性影响很大,不能更好的合理利用空间,对主板的合理布线不利。这种结构对分布电容,外界干扰,高频电流的相互干扰无法消除。致使其接收灵敏度、抗干扰性能和选择性无法实现最佳工作状态。
本实用新型的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种车载调频接收机用超小型电子调谐FM高频头,其采用直插式,体积小,接收灵敏度、抗干扰性能和选择性等较现有产品明显提高。
本车载调频接收机用超小型电子调谐FM高频头,包括:天线输入回路,高频放大电路,AGC控制电路,混频回路,连接于高频放大电路与混频回路之间的选择回路,与混频回路和选择回路的输入端连接的本机振荡电路以及屏蔽外壳,其特征在于:
所述高频放大电路采用场效应管高频放大器;
天线输入回路、选择回路和本机振荡电路分别采用一个变容三极管构成;还设置有一个本机振荡输出回路,本机振荡信号经本机振荡输出电路输出,用于为汽车收音机微处理器提供本机振荡信号,经所述微处理器取样后,产生高频放大电路需要的AGC电压和调谐选择电压VT,AGC电压控制高放电路场效应管FET1的增益,调谐选择电压用于控制天线输入回路、选择回路和本机振荡电路的变容三极管的变容量。
所述屏蔽外壳是双光马口铁屏蔽外壳,其连接插件直接安装于电路板的一边。
本直插式(立式)电子调谐FM高频头,屏蔽外壳采用0.5t双光马口铁成型,连接插件采用0.6t黄铜板冲压成型。比传统的FM高频头所用的普通马口铁材料相比,大大提高了对高频辐射的防备及抗氧化的能力。
这种装配方式结构紧凑,布线理想,装配简单合理,引脚功能标准,由于减少了同汽车收音机主机板的覆盖面,能有效的降低高频头与汽车收音机主板的分布电容,使得高频头在汽车收音中的接收灵敏度,抗干扰性能和选择性工作在最佳状态。这种结构还使到汽车收音机开发工程师在开发设计中对汽车收音机的内部空间的活用性有很大帮助。这种结构是对汽车收音机要求所选用的高频头对汽车收音机要求的内部空间占用要少,需求灵敏度,选择性和抗干扰能力又要强的矛盾的最佳选用。
本实用新型高频头高放部分采用双栅场效应管,带AGC功能,工作稳定,灵敏度高接收部分采用三组独立的变容三极管及外围元件组成的超外差接收方式,全面提高收音机的选择性及抗干扰能力。
图1是其原理方框图;
图2是实施例电路图;
图3是其实施例结构示意图。
如图1所示,本FM高频头由输入回路1,高频放大电路2,AGC控制电路3,选择回路4,本机振荡回路5,混频输出回路6及本机振荡输出电路7组成。本机振荡信号经本振荡输出电路7输出,用于为汽车收音机微处理器提供本机振荡信号,经所述微处理器取样后,产生FM高频头需要的AGC电压和调谐选择电压VT,AGC电压控制高放电路②场效应管FET1的增益,调谐选择电压用于控制天线输入回路、选择回路和本振荡电路的变容三极管的变容量。
信号流程是从C1耦合进来的收音信号经电感线圈L1,变容三极管D1进行筛选后由C4耦合至高放管FET1进行放大,放大后的信号经由R5输出至电感线圈L2,再由电感线圈L2,L3耦合至选择回路,选择回路由电感线圈L3,变容三极管D2和从C8提供的比选择信号高10.7MHz的本机振荡信号混频,混频后的信号经三极管TR1放大后由中频变压器选择输出。
在实施例电路图2中,天线输入回路由电容C1~C4,电感线圈L1,电阻R2,变容三极管D1组成。电感线圈L1与变容三极管D1并联,电容C1、C2接变容三极管D1的一正极端子,电容C1另一端连接连接接头的ANT脚;电容C3、C4,电阻R2接变容三极管D1另一正极端子;变容三极管D1的中间负极串联电阻R1连调谐电压端VT。
高频放大电路采用场效应管高频放大器,所述场效应管高频放大器由双栅场效应管FET1、电阻R3~R5及电感线圈L2组成,电阻R3、R4接场效应管FET1的栅极G1,FET1栅极G2脚接AGC电压,场效应管FET1的漏极D同电阻R5相连,电阻R5的另一端同电阻R4、电感线圈L2相连,场效应管FET1源极S端子接地,通过电容C4连接输入回路。
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