[发明专利]薄膜晶体管、液晶面板和它们的制造方法

权利要求书

1．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：

上述栅极电极，

是用由硅化物薄膜和金属薄膜构成的上下2层构成，此外，一方的薄膜形成为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方多少突出出来的LDD形成掩模兼用栅极电极，

上述半导体层，

由于以上述LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定的栅极电极位置对应区域上形成的LDD区域。

2．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：

上述栅极电极，

是上下的硅化物薄膜构成，此外，一方的薄膜形成为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方稍微突出出来的LDD形成掩模兼用栅极电极，

上述半导体层，

由于以上述LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定的栅极电极位置对应区域上形成的LDD区域。

3．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：

上述栅极电极，

是至少具有硅化物薄膜、金属薄膜和硅薄膜的多层构成，此外，作为杂质注入时的掩模，中央部分最厚、两端部分最薄，其中间部分，中间的厚度或从两侧向着中央一侧慢慢地变厚的多台阶LDD形成掩模兼用栅极电极，

上述半导体层，

由于以上述多台阶LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模从上方注入杂质离子，故具有在上述掩模厚度和杂质离子的注入方向决定的位置形成的多台阶LDD区域。

4．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：

上述栅极电极，

具有由高熔点金属构成的层，

由硅化物薄膜构成的层，

由被上述高熔点金属薄膜层和上述硅化物薄膜层围起来的铝薄膜构成的层，此外，作为掩模厚度，是中央部分最厚、两端部分最薄的LDD掩模兼用含有中间铝层栅极电极，

上述半导体层，

由于以上述LDD形成掩模兼用含有中间铝层栅极电极为注入掩模从上方注入杂质离子，故是具有在由上述掩模厚度和杂质注入方向决定的位置上形成的单个台阶或多个台阶的LDD区域的LDD半导体器件。

5．权利要求1、2、3或4所述的半导体器件，其特征是：

上述硅化物薄膜，

是由下述硅化物群中选择出来的特定材料硅化物薄膜，这些硅化物群是：钛硅化物、钴硅化物、镍硅化物、锆硅化物、钼硅化物、钯硅化物和铂硅化物。

6．权利要求5所述的半导体器件，其特征是：上述至少1个金属薄膜或高熔点金属薄膜，其构成金属是与构成上述硅化物的金属元素相同的同一材料金属薄膜。

7．权利要求1、2、3或4所述的半导体器件，其特征是：上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同材质的硅化物薄膜层。

8．权利要求5所述的半导体器件，其特征是：上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同的材质的硅化物薄膜层。

9．权利要求6所述的半导体器件，其特征是：上述半导体器件，在上述源极电极与上述源极区域的接触部分和上述漏极电极与上述漏极区域的接触部分处，具有与上述栅极电极的硅化物薄膜相同的材质的硅化物薄膜层。