[发明专利]复合衬底、使用该衬底的薄膜电致发光器件以及该器件的生产方法

权利要求书

1．一种复合衬底，包括衬底；镶嵌在所述衬底中的电极层，其镶嵌方式使得所述电极层和所述衬底在一个平面上；以及在所述衬底和所述电极层的复合体表面上形成的绝缘层。

2．根据权利要求1的复合衬底，其中，所述绝缘层包含介电常数为1000或更大的电介质。

3．根据权利要求1或2的复合衬底，其中，所述绝缘层含有钛酸钡作为主要成分。

4．根据权利要求3的复合衬底，其中，所述绝缘层含有至少一种选自由氧化镁、氧化锰、氧化钨、氧化钙、氧化锆、氧化铌、氧化钴、氧化钇和氧化钡组成的组中的成分作为次要成分。

5．根据权利要求3和4的复合衬底，其中，所述绝缘层含有至少一种选自由SiO₂、MO(假定M是至少一种选自Mg、Ca、Sr和Ba的元素)、Li₂O和B₂O₃组成的组中的成分作为次要成分。

6．根据权利要求1-5的任一项的复合衬底，其中，所述绝缘层含有钛酸钡作为主要成分，和至少一种选自由氧化镁、氧化锰、氧化钇、氧化钡和氧化钙以及氧化硅组成的组中的成分作为次要成分；并且氧化镁含量用MgO表示为0.1-3摩尔，氧化锰含量用MnO表示为0.05-1.0摩尔，氧化钇含量用Y₂O₃表示为不大于1摩尔，用BaO表示的氧化钡含量和用CaO表示的氧化钙的用量和为2-12摩尔，氧化硅含量用SiO₂表示为2-12摩尔，以100摩尔钛酸钡(以BaTiO₃计)为基准。

7．根据权利要求3的复合衬底，其中，以BaTiO₃、MgO、MnO和Y₂O₃的总含量为基准，用(Ba_xCa_1-xO)_y·SiO₂(假定x满足0.3≤x≤0.7，且y满足0.95≤y≤1.05)表示，BaO、CaO和SiO₂的总含量为1-10重量％。

8．根据权利要求1-7的任一项的复合衬底，是一种通过烧结由片形成方法或印刷法形成的叠层获得的厚膜。

9．根据权利要求1-8的任一项的复合衬底，通过在绝缘层上形成功能薄膜，然后在600℃到衬底的烧结温度或更低的温度下加热所述功能薄膜获得的。

10．一种薄膜EL器件，包含根据权利要求1-6的任一项中的复合衬底、和在所述复合衬底上顺序形成发光层、另一个绝缘层和另一个电极层。

11．根据权利要求10的薄膜EL器件，其中，所述的电极层包含至少一种选自由Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe和Co组成的组中的材料，或Ag-Pd、Ni-Mn、Ni-Cr、Ni-Co和Ni-Al合金中的任一种。

12．一种生产薄膜EL器件的方法，包括下列步骤：

通过一种厚膜形成方法在具有平整表面的薄膜片上形成第一个绝缘层前驱体；

在其上形成第一种图形化的电极层前驱体；

在其上形成衬底前驱体，使所述叠层经过去除粘合剂的处理并烧结，获得在所述衬底上形成有第一个电极层和第一个绝缘层的复合衬底；和

在所述第一个绝缘层上再依次叠层一个发光层，第二个绝缘层和第二个电极层，获得所述薄膜EL器件。

13．生产根据权利要求10的薄膜EL器件的方法，其中，在形成权利要求2的第二个绝缘层或第二个电极层之后，在600℃到衬底烧结温度或更低的温度下进行热处理。

14．根据权利要求12或13的生产薄膜EL器件的的方法，其中，所述衬底前驱体是一种衬底生坯片，含有至少一种选自由氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅玻璃(SiO₂)、氧化镁(MgO)、块滑石(MgO·SiO₂)、镁橄榄石(2MgO·SiO₂)、莫来石(3Al₂O₃·2SiO₂)、氧化铍(BeO)、锆石、以及Ba基、Sr基和Pb基钙钛矿组成的组中的成分。