[发明专利]耐脆化性能优良的二硅化钼基耐高温氧化材料及发热材料无效
| 申请号： | 00800826.4 | 申请日： | 2000-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1304388A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | 高垣大辅;高村博 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本能源 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化性 优良 二硅化钼基 耐高温 氧化 材料 发热 | ||
【权利要求书】：
1、一种耐脆化性能优良并以MoSi2为主成分的耐高温氧化材料及发热材料，其特征在于，它们由MoSi2基材或以70重量％以上的MoSi2为主成分的基材构成，在对该基材进行X射线衍射法(Cu,Kα)分析时，Si的主峰(2θ=28.440°，按JCPDS规定)衍射强度相当于MoSi2主峰(2θ=44.684°)衍射强度的1/100以下，而且Mo5Si3的主峰(2θ=38.405°，按JCPDS规定)衍射强度处于MoSi2主峰(2θ=44.684°)衍射强度的1/300以上至1/10以下的范围内。
2、如权利要求1所述的耐脆化性能优良并以MoSi2为主成分的耐高温氧化材料及发热材料，其特征在于，其中所说的Si的主峰衍射强度相当于MoSi2主峰衍射强度的1/10000以下。
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