[发明专利]半导体晶片清洗装置和方法无效
| 申请号： | 00800942.2 | 申请日： | 2000-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1310860A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | L·张;M·G·威林 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,傅康 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 装置 方法 | ||
1．一种从半导体晶片的表面除去杂质的清洗装置，包括：
超音速换能器，用于产生超音速地搅动的液体从半导体晶片的表面上除去杂质颗粒；
刷子，用于接触半导体晶片表面并除去杂质颗粒；以及
安装了超音速换能器和刷子的清洗组件，可操作该清洗组件以便同时使用超音速换能器和刷子从半导体的晶片的表面上除去杂质颗粒。
2．根据权利要求1的装置，其中采用超音速换能器产生超音速地搅动的液体流接触半导体晶片的表面以除去杂质颗粒。
3．根据权利要求1的装置，其中采用刷子接触半导体晶片表面并通过使用擦除作用摩擦地除去杂质颗粒。
4．根据权利要求1的装置，其中清洗组件随着刷子清洗半导体晶片的表面相对于刷子横向地移动半导体晶片。
5．根据权利要求1的装置，其中装置为CMP后清洗装置，用于从半导体晶片的表面上除去CMP后杂质颗粒，刷子通过使用擦除作用从半导体的晶片的表面上除去杂质颗粒，清洗组件随着刷子清洗半导体晶片的表面相对于刷子横向地移动半导体晶片。
6．根据权利要求1或5的装置，其中超音速换能器同轴地设置在刷子内，以便借助刷子超音速地搅动的液体流接触半导体晶片的表面。
7．根据权利要求1或5的装置，其中超音速换能器横向地设置在刷子的两侧使超音速地搅动的液体接触半导体晶片的表面。
8．根据权利要求1或5的装置，其中清洗之后清洗组件旋转干燥半导体晶片。
9．根据权利要求1或5的装置，其中液体为去离子水。
10．根据权利要求1或5的装置，其中液体为化学地影响半导体晶片表面特制的清洗溶液。
11．一种CMP后清洗半导体晶片的方法，该方法包括以下步骤：
通过使用产生超音速地搅动的液体流的超音速换能器从半导体晶片表面上除去杂质颗粒；
通过使用刷子接触半导体晶片的表面从半导体晶片表面上除去杂质颗粒；以及
同时使用超音速换能器和刷子从半导体的晶片的表面上清除杂质颗粒，通过安装有超音速换能器和刷子的清洗组件进行所述的清除。
12．根据权利要求11的方法，其中超音速换能器同轴地设置在刷子内，以便借助刷子超音速地搅动的液体流接触半导体晶片的表面。
13．根据权利要求11的方法，还包括以下步骤：
随着刷子清洗半导体晶片的表面相对于刷子横向地移动半导体晶片，通过清洗组件进行横向移动。
14．根据权利要求11的方法，其中超音速换能器横向地设置在刷子的两侧使超音速地搅动的液体接触半导体晶片的表面。
15．根据权利要求11的方法，还包括以下步骤：
通过使用清洗组件清洗之后旋转干燥半导体晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
