[发明专利]PTC元件及其制造方法无效
申请号: | 00801438.8 | 申请日: | 2000-07-14 |
公开(公告)号: | CN1318201A | 公开(公告)日: | 2001-10-17 |
发明(设计)人: | 高畑兴邦;片冈光宗 | 申请(专利权)人: | 株式会社东金 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H05B3/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉,王达佐 |
地址: | 日本宫城*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ptc 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种PTC元件,其特征在于,所述PTC元件具有成型复合材料,其中35-60体积百分数的导电性粉末状填料与晶体聚合物组分掺杂混合,经加压密封并填埋的导电性材料部分暴露于所述成型复合材料的表面,并且通过在所述成型复合材料表面镀敷以形成电极,以及至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C的材料作为所述导电性粉末状填料。
2.如权利要求1所述的PTC元件,其中所述导电性材料包括Ni粉末、Al粉末、Cu粉末、Fe粉末、Ag粉末,或石墨粉末。
3.如权利要求1所述的PTC元件,其中,45-60体积百分数的所述导电性粉末状填料与所述晶体聚合物组分掺杂混合以形成所述成型复合材料。
4.一种制造PTC元件的方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:将35-60体积百分数的至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C的材料作为导电性粉末状填料与晶体聚合物组分掺杂混合以制备成型复合材料;在用含导电性粉末的导电性糊剂对所述成型复合材料涂层后,所述导电性粉末经加压密封并填埋,部分暴露于所述成型复合材料的表面;以及在所述成型复合材料表面镀敷以形成电极。
5.如权利要求4所述的制造PTC元件的方法,其中,Ni粉末、Al粉末、Cu粉末、Fe粉末、Ag粉末,或石墨粉末作为导电性粉末。
6.如权利要求4所述的制造PTC元件的方法,其中,45-60体积百分数的所述导电性粉末状填料与所述晶体聚合物组分掺杂混合以形成所述成型复合材料。
7.一种PTC元件,其特征在于,所述PTC元件具有成型复合材料,其中35-60体积百分数的导电性粉末填料与晶体聚合物组分掺杂混合,所述导电性粉末状填料至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C,经加压密封并填埋的导电性材料部分暴露于所述成型复合材料的表面,并且通过在所述成型复合材料表面镀敷以形成电极,并且在镀敷电极以外部分还形成有蒸汽阻隔层。
8.如权利要求7所述的PTC元件,其中,所述晶体聚合物组分为聚合物合金,其中,混合有至少一种热塑性聚合物。
9.一种制造PTC元件的方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:将35-60体积百分数的至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C的材料作为导电性粉末状填料与晶体聚合物组分掺杂混合以制备成型复合材料;在用含导电性粉末的导电性糊剂对所述成型复合材料涂层后,所述导电性粉末经加压密封并填埋,部分暴露于所述成型复合材料的表面;在所述成型复合材料表面镀敷以形成电极;以及在镀敷电极以外部分还形成有蒸汽阻隔层。
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