[发明专利]具有内置功率放大器的隔离装置无效
申请号: | 00801565.1 | 申请日: | 2000-07-27 |
公开(公告)号: | CN1319277A | 公开(公告)日: | 2001-10-24 |
发明(设计)人: | 近藤良一;仓桥孝秀;中井信也;加藤一 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04;H01P1/36;H03F3/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 内置 功率放大器 隔离 装置 | ||
1.一种具有内置功率放大器的隔离装置,包括单个电介质多层基片、高频功率放大器电路、隔离元件以及形成在该电介质多层基片上的电路元件,所说的高频功率放大器电路和所说的隔离元件通过所说的电路元件彼此连接并与所说的单个电介质多层基片结合。
2.如权利要求1所说的的装置,其中至少一部分所说的电路元件嵌入在所说的电介质多层基片中。
3.如权利要求1所说的的装置,其中所说的电路元件包括所说的隔离元件的电容部分,其中所说的隔离元件的所说的电容部分嵌入在所说的电介质多层基片中。
4.如权利要求1所说的的装置,其中至少一部分所说的的电路元件安装在所说的电介质多层基片上。
5.如权利要求1所说的的装置,其中使所说的高频功率放大器电路的输出阻抗与所说的隔离元件的输入阻抗相匹配的阻抗匹配电路嵌入在所说的电介质多层基片中。
6.如权利要求1所说的的装置,其中使所说的高频功率放大器电路的输出阻抗与所说的隔离元件的输入阻抗相匹配的阻抗匹配电路安装在所说的电介质多层基片上。
7.如权利要求1所说的的装置,其中所说的隔离元件的主要部件整体地插入在装配部分中,通过除去一部分所说的电介质多层基片形成该装配部分。
8.如权利要求7所说的的装置,其中所说的装配部分是所说的电介质多层基片的切口。
9.如权利要求7所说的的装置,其中所说的装配部分是所说的电介质多层基片的通孔。
10.如权利要求1所说的的装置,其中所说的隔离元件具有通过阻抗匹配电路电连接到所说的高频功率放大器电路的第一端口,以及其中所说的第一端口具有标准的传输线阻抗。
11.如权利要求1所说的的装置,其中所说的隔离元件具有电连接到所说的高频功率放大器电路的第一端口,以及其中所说的第一端口具有与所说的高频功率放大器电路的输出阻抗基本相匹配的输入阻抗。
12.如权利要求11所说的的装置,其中所说的隔离元件的所说的第一端口通过阻抗匹配电路电连接到所说的高频功率放大器电路。
13.如权利要求11所说的的装置,其中所说的隔离元件具有第二端口,该第二端口的阻抗不同于所说的第一端口的阻抗。
14.如权利要求13所说的的装置,其中所说的第一端口的阻抗低于所说的第二端口的阻抗。
15.如权利要求13所说的的装置,其中所说的第二端口的阻抗等于标准的传输线阻抗。
16.如权利要求13所说的的装置,其中所说的环行元件包括磁性材料块和形成在所说的磁性材料块中的三角对称的中心导体,以及其中连接到所说的第一端口的所说的中心导体的宽度不同于连接到其它的端口的中心导体的宽度。
17.如权利要求1所说的的装置,其中所说的隔离元件具有环行元件,所说的环行元件的上表面与所说的电介质多层基片的上表面几乎在相同的平面中,以及其中所说的环行元件的第一和第二端口的端电极都设置在所说的环行元件的上表面上。
18.如权利要求1所说的的装置,其中所说的隔离元件具有环行元件,所说的环行元件的上表面与所说的电介质多层基片的上表面几乎在相同的平面中,以及其中所说的环行元件的第一和第二端口的端电极分别设置在所说的环行元件的上表面和下表面上。
19.如权利要求1所说的的装置,其中通过共同的单个屏蔽外壳覆盖所说的高频功率放大器电路和所说的隔离元件。
20.如权利要求1所说的的装置,其中所说的装置进一步包括安装在所说的电介质多层基片上并耦合到所说的高频功率放大器电路的输入中的表面声波装置和嵌入在所说的电介质多层基片中以使所说的表面声波装置的输出阻抗与所说的高频功率放大器电路的输入阻抗相匹配的匹配电路。
21.如权利要求1所说的的装置,其中所说的装置进一步包括安装在所说的电介质多层基片上并耦合到所说的高频功率放大器电路的输入中的表面声波装置和安装在所说的电介质多层基片上以使所说的表面声波装置的输出阻抗与所说的高频功率放大器电路的输入阻抗相匹配的匹配电路。
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