[发明专利]管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片及其制造方法

权利要求书

1.管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，包括以下步骤：

a)在晶片上施加扩散材料；

b)在所说扩散材料上形成抗蚀掩模图形；

c)显影所说晶片以淀积其它材料；及

d)在显影所说扩散材料产生的空间中淀积弹性材料。

2.根据权利要求1的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中在步骤a)利用热氧化形成二氧化硅。

3.根据权利要求1的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中步骤a)还包括以下步骤：

在所说扩散炉中加热所说晶片；

在仔细控制适于在所说晶片表面上形成均匀厚度的二氧化硅膜的条件下，将所说晶片暴露于超纯氧；及

利用高纯低颗粒密度的化学试剂预洗所说晶片。

4.根据权利要求1的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中步骤b)还包括以下步骤：

用抗蚀材料涂敷扩散材料；及

利用光刻工艺在所说抗蚀材料上印刻掩模图形。

5.根据权利要求4的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，还包括以下步骤：

在所说晶片上涂敷光致抗蚀剂或光敏膜；

对准所说晶片与所说掩模；

通过所说掩模和一系列还原透镜，投射强光；及

根据所说掩模的图形曝光所说光致抗蚀剂。

6.根据权利要求4的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中所说光刻工艺包括X射线光刻。

7.根据权利要求4的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中在加工另一区时，所说抗蚀材料用于掩蔽或保护所说晶片的一个区域。

8.根据权利要求1的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中步骤c)还包括以下步骤：

去除较软的已曝光光致抗蚀剂；及

烘焙晶片，硬化其余光致抗蚀图形。

9.根据权利要求1的管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，其中步骤d)还包括以下步骤：

在所说其余扩散材料和光致抗蚀材料上散布所说弹性材料，使所说弹性材料填充在显影的区域中；及

所说显影区中填充了弹性材料后，去除过量的弹性材料。

10.一种管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，包括：

适于提供所说抗龟裂集成电路芯片基础的衬底；

耦合到所说衬底的金属层，所说金属层用于导电；

耦合到所说金属层的金属间氧化(IMO)层，所说金属间氧化层用作集成电路元件；

耦合到所说金属间氧化层的弹性模数填料块，所说弹性模数填料块用于吸收应力能量。

11.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括弹性模数比形成所说金属间氧化层的材料低的材料。

12.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括具有较柔软的弹性特性的材料，用于吸收与作用于所说管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片上的应力相关的能量。

13.根据权利要求12的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块吸收与作用于所说管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片上的应力相关的能量，从而减少龟裂在各层间的延伸。

14.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括弹性模数低于所说IMO层中所含材料的材料。

15.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括铝。

16.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括具有会使弹性模数填料块比所说IMO层中所含材料更柔软的弹性特性和模数结构的材料，该材料具有通过集成芯片的各层释放加剧龟裂力的应力能量的能力。

17.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块包括弹性模数填料层。

18.根据权利要求10的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片，其中所说弹性模数填料块设置成使各层间龟裂延伸的阻力最大。