[发明专利]具有集成射频能力的多芯片模块

权利要求书

1.一种多芯片模块包含：

一个单个互连基底，其特征在于，

至少一个射频/中频有源电路芯片，构造为执行多个射频/中频功能，述的至少一个射频/中频有源电路芯片，它与所述单个互连基底耦合；

至少一个无源元件，它与所述单个互连基底耦合；

所述单个互连基底，它被构造为能使所述的多芯片模块集成多个的射频/中频功能。

2.如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述的至少一个射频/中频有源电路芯片包含一个第一射频/中频有源电路芯片和一个拥有与所述的第一射频/中频有源电路芯片不同的电学特征的第二射频/中频有源电路芯片。

3.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，所述的第一和第二射频/中频有源电路芯片被构造为在不同的射频/中频频率操作。

4.如权利要求2所述的多芯片模块，其特征在于，进一步包含至少一个匹配的网络，它被集成在所述的单个互连基底中，所述的至少一个匹配网络与所述第一和第二射频/中频有源电路芯片中的一个相关。

5.如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述的至少一个射频/中频有源电路芯片包含一个根据第一压模技术构造的第一射频/中频有源电路芯片和一个根据第二压模技术构造的第二射频/中频有源电路芯片。

6.如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述的单个互连结构包含多个电学终端，所述的多个电学终端根据多个终端方案中的一种构造。

7.如权利要求6所述的多芯片模块，其特征在于，所述的多个电学终端方案包含一个球网格阵列方案、一个针网格阵列方案、一个平面网格阵列方案和一个齿状阵列方案。

8.一种多芯片模块，其特征在于，包含：

一个单个互连基底，包含一个有多个金属线连接点的外表面；

一个射频/中频有源电路芯片，它被构造成为执行至少一个射频/中频功能，所述的至少一个射频/中频有源电路芯片通过多个金属线连接与相同数量的所述金属线连接点耦合；

一个表面固定于所述单个互连基底的无源元件。

9.如权利要求8所述的多芯片模块，其特征在于，所述的无源元件用一种回流焊接的技术表面固定。

10.如权利要求8所述的多芯片模块，其特征在于，所述数量的金属线连接点包含多个与射频/中频接地相关的向下连接接触点和多个与相同数量的电学信号相关的信号接触点。

11.如权利要求8所述的多芯片模块，其特征在于，进一步包含在所述外表面上的一个压模附加块和在所述单个互连基底内形成的一个电镀直通通道，所述电镀直通通道与所述压模附加块建立了电接触，所述多个金属线连接点中至少一个的位置与所述电镀直通通道的位置有关。

12.如权利要求11所述的多芯片模块，其特征在于，至少所述的多个的金属线连接点之一在所述的电镀直通通道附近。

13.一种多芯片模块，其特征在于，包含：

一个单个的互连基底；

一个第一射频/中频有源电路芯片，它与所述单个互连基底耦合，所述的第一射频/中频有源电路芯片被构造为实现一个第一射频/中频功能。

一个第二射频/中频有源电路芯片，它与所述单个互连基底耦合，所述的第二射频/中频有源电路芯片被构造为实现一个第二射频/中频功能。

一个第一接地平面，它集成到所述的单个互连基底并在操作上与所述的第一射频/中频有源电路芯片相关。

一个第二接地平面，它集成到所述的单个互连基底并在操作上与所述的第二射频/中频有源电路芯片相关。

14.如权利要求13所述的多芯片模块，其特征在于，所述的第一和第二接地平面物理上互相分开。

15.如权利要求13所述的多芯片模块，其特征在于，所述的第一和第二接地平面构造为电子隔离所述第一和第二射频/中频有源电路芯片。

16.如权利要求13所述的多芯片模块，其特征在于，所述的第一和第二接地平面构造为减小所述第一和第二射频/中频有源电路芯片之间的射频/中频干扰量。

17.如权利要求13所述的多芯片模块，其特征在于，所述的第一和第二接地平面构造为能使所述多芯片模块集成所述的第一和第二射频/中频功能。