[发明专利]复合磁片及其制造方法

说明书

发明背景

本发明涉及到一种复合磁体以及制造这种复合磁体的方法。复合磁体在电子设备中可用做电磁干扰抑制器，用来防止向外泄漏额外的无线电波，防止内部电路之间的干扰，以及防止诸如误动作等外部无线电波导致的影响。

近年来，电子设备的电磁环境问题越来越受到关注。按照背景技术，对电子设备例如数字电子设备有各种各样的要求，以提高电路的信号处理速度，使用更高的频率，并提供改进的功能，缩小产品设计的尺寸和厚度等等。为了满足这些需求就要增大电路的密度，将有源元件和诸如半导体元件等发射感应噪声的无源元件混合使用。

这样会由于电容耦合及电磁耦合而增加线路中的耦合，并且由于辐射噪声而产生干扰，往往会影响设备的正常操作。有时候这种噪声还会影响到外部设备。

为了改善电子设备的处理速度、功能及其密度，作为一种抗噪声防范措施，特别是在亚微米波段中的一种抗噪声防范措施，有人建议安装低通滤波器和使用屏蔽。在使用附加部件的抗噪声防范措施中，需要有一定的安装空间，为了缩小尺寸和厚度，在设计阶段就必须考虑到这一问题。因而不能满足应急的需求。

针对上述问题，作为一种抗噪声防范措施，有人提出在亚微米波段中使用复合磁片来抑制上述电磁干扰。例如在日本待审专利公开(JP-A)H07-212079号和日本待审专利公开(JP-A)H09-35927号的说明书中就提出了能够抑制电磁干扰的复合磁片。

作为一种覆盖亚微米波段并且利用高实数部分磁导率μ′和广泛分布的虚数部分磁导率μ′的射频吸收器，这些复合磁片能够抑制辐射噪声的传输和二次电磁耦合。这样就能减轻抗噪声防范措施和产品研发的负担，并且消除缩小电路尺寸和增加密度所面临的障碍。

在市场上迫切需要一种能够象上述复合磁体那样便于使用的抗噪声部件，在允许使用这种部件作为抗干扰措施的频带内例如是在亚微米波段中的低频(数十到数百MHz)范围内，并且可以将其安装到现有的设备上。另外，随着电子设备小型化的进程，也需要进一步缩小适合上述亚微米波段的复合磁片的厚度。

随着频率的降低，在亚微米波段中使用的上述复合磁片的磁导率就不够了。因此，厚度的减少会受到限制，并且抑制电磁干扰的效果也会随之下降，因为在这一频率上的“μ”增大了。在诸如移动通信设备这样的小型电子设备中，需要考虑其它的抗干扰措施。然而，不能安装铁磁体，因为它有可能破碎，并且还存在定位问题。橡胶铁磁体不容易破碎，尽管安装空间是有保证的，但是不足以抑制噪声。

因此，在低频和数十到数百MHz的高频范围内，可以使用诸如线圈和滤波器等等部件。然而，在上述频带内，目前还没有找到任何适用的抗噪声部件。即使有这种适用的部件，对基片等等的设计修改上也需要投入大量的人力和物力。

为了解决上述问题，就出现了对能够抑制电磁干扰的复合磁片的需求，它应该能适合低频范围(数十到数百MHz)，并且即使厚度缩小也具有抑制电磁干扰的效果。

为了满足上述需求，就需要明显地改善磁导率CPME014966P和μ″并且降低μ′的磁谐振频率。针对这种需求，就出现了以日本待审专利公开(JP-A)2000-40g7号的说明书为例的一种复合磁片，它能够在FM频带(数十到数百MHz)中改善电磁干扰抑制效果，并且能够缩小厚度。如果采用上述申请中描述的技术，就能够实现对电磁干扰抑制效果的改善并且缩小厚度。

以下要说明一例制作上述复合磁体的方法。在上述复合磁片被用于亚微米波段的情况下可以采用湿法和干法。具体地说，按照湿法技术，将平滑的软磁粉末、一种粘合剂以及用来溶解粘合剂的一种溶剂混合搅拌后获得一种糊状混合物，用刮片技术形成一种薄膜。按照干法技术，用搅拌机搅拌平滑的软磁粉末和一种粘合剂，获得一种用滚筒形成的混合物。

在上述日本待审专利公开(JP-A)2000-4097号中所描述的复合磁体的制造方法中，使用了一种没有应力应变的平滑的软磁粉末，并且用湿法技术将其制成片，在形成步骤中不会给粉末带来应力应变。另外，在与片的平面垂直的方向上对片加压以获得高密度。这样就能改善在FM频带中的电磁干扰抑制效果，并且能缩小厚度。

如上所述，制造由平滑的软磁粉末和粘合剂构成的复合磁体的常规方法可以分成采用溶剂的湿法技术和不采用溶剂的干法技术两类。

在上述日本待审专利公开(JP-A)2000-4097号中所描述的复合磁体的制造方法采用了上述湿法技术。然而，单单通过薄膜成形不能获得足够的μ′值，因此，可以通过加压来获得高磁导率。这样，在产量增加的情况下就难以降低成本。为了采用这种方法实现大批量生成，需要有大规模的设备投资。