[发明专利]具有深衬底接触的半导体器件无效
| 申请号： | 00803688.8 | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1160786C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | T·约翰松;C·尼斯特伦;A·赖丁 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋;李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 接触 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
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