[发明专利]数据存储介质

权利要求书

1.  数据存储介质，所述介质包括：

i.包括至少一个塑料树脂部分的衬底；

ii.在所述衬底上的至少一个数据层；

其中，所述数据层可至少由一个能量场对其至少部分读、写或读和写的组合操作；

其中，当能量场接触存储介质时，所述能量场在它能够入射到所述衬底前入射到所述数据层上。

2.如权利要求1所述存储介质，其中，所述能量场包括电场、磁场和光场中的至少一个。

3.如权利要求1所述存储介质，其中，所述衬底具有大于大约6千兆位/英寸²的面密度。

4.如权利要求3所述存储介质，其中，所述衬底具有大于大约10千兆位/英寸²的面密度。

5.如权利要求4所述存储介质，其中，所述衬底具有大于大约25千兆位/英寸²的面密度。

6.如权利要求1所述存储介质，另外包括从一组包括凹坑、槽、边缘特征、不平度、和包括上述至少一种的组合中选择的表面特征。

7.如权利要求6所述存储介质，其中，所述表面特征具有大于原始主盘90％复制度的复制。

8.如权利要求1所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约8微米的边缘提升高度。

9.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约5微米的边缘提升高度。

10.如权利要求9所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约3微米的边缘提升高度。

11.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约10R_a的表面粗糙度。

12.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有大于在温度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。℃

13.如权利要求12所述存储介质，其中，所述衬底具有大于在温度为24℃时大约0.06的机械阻尼系数。

14.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有不大于大约5.5×10^-3斯勒格-英寸²的惯性矩。

15.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有独立的径向倾斜和切向倾斜，分别为大约1°或更小。

16.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底的潮湿成分的变化在4周后在温度为80℃相对湿度为85％的测试条件平衡下小于大约0.5％。

17.如权利要求8所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约1.0的比重。

18.如权利要求1所述存储介质，其中，所述衬底在冲击振动激励下具有小于大约500μ的轴向位移峰值。

19.如权利要求18所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约150μ的轴向位移峰值。

20.如权利要求18所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约8微米的边缘提升高度。

21.如权利要求20所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约5微米的边缘提升高度。

22.如权利要求21所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约3微米的边缘提升高度。

23.如权利要求18所述存储介质，其中，所述衬底具有小于大约10R_a的表面粗糙度。

24.如权利要求18所述存储介质，其中，所述衬底具有大于在温度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。

25.如权利要求24所述存储介质，其中，所述衬底具有大于在温度为24℃时大约0.06的机械阻尼系数。

26.如权利要求18所述存储介质，其中，所述衬底具有不大于大约5.5×10^-3斯勒格-英寸²的惯性矩。

27.如权利要求1所述存储介质，其中，所述衬底具有大约5.5×10^-3斯勒格-英寸²或更小的惯性矩。