[发明专利]光学信息记录介质及其记录重放方法以及使用该介质的光学信息记录重放系统无效

专利信息
申请号: 00804035.4 申请日: 2000-12-19
公开(公告)号: CN1341258A 公开(公告)日: 2002-03-20
发明(设计)人: 宇野真由美;山田升 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B7/004;B41M5/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,叶恺东
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 信息 记录 介质 及其 重放 方法 以及 使用 系统
【权利要求书】:

1.一种光学信息记录介质,其特征在于,在基片上形成至少一层信息层,所述信息层含有以能通过激光照射而在光学上不同的两种状态之间变化的材料为主要成分的记录层,在所述记录层中至少一层上,所述材料中所述两种状态中的一种是非结晶状态,上述材料能隙在上述非结晶状态下处在0.9eV以上、2.0eV以下,受到波长在300nm以上450nm以下范围内的激光照射时,含有以所述材料为主要成分的的记录层的所述信息层的透光率在30%以上。

2.权利要求1所记述的光学信息记录介质,其特征在于,它至少形成两层信息层,所述信息层含有可受从同一侧入射的激光作用而在光学上不同的两种状态之间变化的记录层。

3.权利要求2所记述的光学信息记录介质,其特征在于,它形成两层以上的信息层,在离激光入射侧最近的信息层上,所述记录层中作为记录层主要成分的材料的能隙,非结晶状态下在0.9eV以上、2.0eV以下,受到波长在300nm以上450nm以下范围内的激光照射时,所述信息层的透光率在30%以上。

4.权利要求1所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述记录层的厚度在1nm以上25nm以下。

5.权利要求1所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述记录层中至少一层以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分。

6.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层的厚度在1nm以上15nm以下。

7.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,在所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层中,所述记录层处于结晶状态时激光的反射率Rc,大于所述记录层处于非结晶状态时激光的反射率Ra。

8.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,在所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层中,所述记录层处于结晶状态时所述记录层中的光吸收率Ac,大于所述记录层处于非结晶状态时所述记录层中的光吸收率Aa的80%。

9.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,在所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层中,若所述材料结晶状态的折射率为nc,非结晶状态的折射率为na,非结晶状态下的衰减系数为ka,则na>2.5、nc>2.5、ka<2.0的关系成立。

10.权利要求9所记述的光学信息记录介质,其特征在于,在所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层中,若所述材料结晶状态的衰减系数为kc,则|kc-ka|≥0.5的关系成立。

11.权利要求9所记述的光学信息记录介质,其特征在于,na-nc≤1.0的关系成立。

12.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,在所述以可以可逆地变化于结晶状态和非结晶状态之间的材料为主要成分的记录层中,若所述材料结晶状态的能隙为E0(c),非结晶状态的能隙为E0(a),则E0(c)≤E0(a)-0.15的关系成立。

13.权利要求1所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述记录层含有Se,所述记录层中Se的含量,在20原子%以上、60原子%以下。

14.权利要求1所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述记录层含有Te和X(X是从In,Al,Ga,Zn及Mn中选择的至少一种元素),所述记录层中Te的含量在20原子%以上60原子%以下,所述记录层中X的含量在20原子%以上50原子%以下。

15.权利要求13或14所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述记录层至少多含有一种从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Sc、Ti、Nb、Cr、Mo、Co、Cu、Ag、Au、Pd、N及O中选择的元素。

16.权利要求5所记述的光学信息记录介质,其特征在于,所述信息层与所述记录层中至少有一个其侧面有与之相连的晶化促进层。

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