[发明专利]沟槽式双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 00804475.9 | 申请日： | 2000-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1163973C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 理查德A·布兰查德 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 方挺;余朦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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