[发明专利]改进的集成振荡器和调谐电路

权利要求书

1.一个集成电路包括：

集成电路的第一部分，所说第一部分具有第一表面和包括一或多层半导体材料；以及

一个电容器包括至少一个导电层和一个介电层，其中该电容器形成在该集成电路的第一部分的第一表面上。

2.如权利要求1的集成电路，其中集成电路的第一部分包括一个变容二极管。

3.如权利要1求的集成电路，其中集成电路的第一部分包括第一层以及其中该第一层的一个表面形成所说第一表面。

4.如权利要求2的集成电路，其中变容二极管包括一个或多个阳极电极和一个或多个阴极电极以及其中该一个或多个阳极或一个或多个阴极由一个或多个导电层形成。

5.如权利要求1的集成电路，其中集成电路是一个振荡器。

6.如权利要求5的集成电路，其中该振荡器是电压控制振荡器。

7.如权利要求5的集成电路，其中该振荡器是一个电流控制振荡器。

8.如权利要求5的集成电路，其中该振荡器是一个功率控制振荡器。

9.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个混频器。

10.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个放大器。

11.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个模-数转换器。

12.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个数-模转换器。

13.如权利要求1的集成电路，其中集成电路是一个调制器。

14.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个解调器。

15.如权利要求1的集成电路，其中该集成电路是一个滤波器。

16.如权利要求2的集成电路，其中该集成电路是一个可调滤波器。

17.如权利要求1的集成电路，其中使用CMOS工艺形成该集成电路。

18.如权利要求1的集成电路，其中使用BICMOS工艺形成该集成电路。

19.如权利要求1的集成电路，其中使用SiGe工艺形成该集成电路。

20.如权利要求1的集成电路，其中使用GaAs工艺形成该集成电路。

21.如权利要求1的集成电路，其中一个或多个层包括多层半导体材料。

22.如权利要求3的集成电路，其中所说第一层是由一绝缘材料组成。

23.如权利要求3的集成电路，其中所说第一层的至少一部分是由导电材料所组成。

24.如权利要求4的集成电路，其中一个或多个阴极电极包括至少两个阴极电极。

25.如权利要求24的集成电路，其中至少两个阴极电极短路在一起。

26.如权利要求22的集成电路，其中绝缘材料是由包含SiO，SiO₂，ZnS和MgF₂的组中选出的。

27.如权利要求1的集成电路，其中至少一个导电层是由从包含Al，Ti，W和AlCu的组所选的材料形成的。

28.如权利要求4的集成电路，其中一个或多个导电层是由包含Al，Ti，W，和AlCu的组所选的材料形成的。