[发明专利]制造臭氧的方法和装置无效
申请号: | 00805478.9 | 申请日: | 2000-02-24 |
公开(公告)号: | CN1345290A | 公开(公告)日: | 2002-04-17 |
发明(设计)人: | B·维瑟 | 申请(专利权)人: | 坡契夫斯脱罗姆基督教大学 |
主分类号: | C01B13/11 | 分类号: | C01B13/11 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 吴明华 |
地址: | 南非共和国坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 臭氧 方法 装置 | ||
1.一种制造臭氧的方法,它包括以下步骤:在一电极区域内发生电晕放电的间歇脉冲串,以及使含氧流体通过该区域,由此发生氧气的电离。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该间歇脉冲串通过给电极提供具有至少2kV/100ns的陡度的间歇电压脉冲串、从而在该区域内产生变化电场而产生,该电场具有每毫米至少2kV的峰值。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,峰值为每毫米至少3kV,而陡度为3kV/10ns的数量级。
4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,各电压脉冲具有小于100ns的脉冲宽度。
5.如前述权利要求之一所述的方法,其特征在于,脉冲串是不连续的脉冲串。
6.一种用来制造臭氧的装置,该装置包括;
一壳体,它形成一供包含氧气的流体用的通道;
一设置在通道附近的电极;以及
与电极连接的脉冲发生装置,
脉冲发生装置通过产生具有至少20kV/100ns的陡度的一系列电压脉冲而产生一变化的电场。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,电场具有每毫米至少3kV的峰值。
8.如权利要求6或7所述的装置,其特征在于,各电压脉冲具有小于100ns的脉冲宽度。
9.如前述权利要求之一所述的装置,其特征在于,脉冲发生装置可包括一自激振荡电路。
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,自激振荡电路包括一场效应晶体管(FET)和一开关电路,开关电路包括电荷存储装置;开关装置连接在电荷存储装置和FET的一门之间;开关装置操作时将来自电荷存储装置的电荷堆积在门上,由此改善在FET的漏极-源极电路里的信号的上升时间。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,电荷存储装置包括一电容器,而开关装置包括一SIDAC(硅对称二端开关元件)。
12.如权利要求10或11所述的装置,其特征在于,电极与一变压器的次级线圈连接,变压器的初级线圈与FET的漏极-源极电路连接。
13.如权利要求6至12之一所述的装置,其特征在于,通道在通向壳体的一进口和离开壳体的一出口之间延伸。
14.如权利要求6至13之一所述的装置,其特征在于,电极是设置在壳体里的一环形电极,而通道延伸通过在电极和壳体内的一环形突脊之间的间隙。
15.如权利要求14所述的装置,其特征在于,壳体是一金属壳体,壳体与变压器的次级线圈连接,而供电极用的绝缘载体安装在电极和突脊之间。
16.如权利要求14所述的装置,其特征在于,壳体是一种电绝缘材料制造的,电极环绕地设置在壳体的外侧上,而与次级线圈连接的第二电极与壳体的内壁间隔设置,从而在第二电极和内壁之间形成通道。
17.一种制造臭氧的方法,该方法包括以下步骤:
在一电极区域内发生一变化电场;该电场具有每毫米至少2kV的峰值;
通过给电极提供具有至少2kV/100ns的陡度的间歇电压脉冲串产生该电场;以及
使含氧流体通过该区域。
18.一种基本上通过参考附图在此描述的产生臭氧的方法。
19.一种基本上通过参考附图在此描述的产生臭氧的装置。
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