[发明专利]具有可写存储单元的集成存储器的工作方法和相应的集成存储器

说明书

本发明涉及一种具有可写存储单元的集成存储器的工作方法和一种相应的集成存储器。

具有可写存储单元的已知集成存储器譬如为DRAM(动态随机存取存储器)和FRAM或FeRAM(铁电RAM)。该两种存储器类型均具备一些带有至少一个用于存储数据的存储电容器的存储单元。在DRAM中，存储单元通常是1晶体管/1电容器的类型。FRAM的存储单元同样也可以是1晶体管/1电容器的类型。因此FRAM与DRAM的存储单元的不同之处是在于其存储电容器具有铁电的电介质。利用所述铁电电介质的不同极化，可以给需存储的数据区分不同的逻辑状态，因为所述电容器的电容是随着其极化进行变化的。

US 5,592,410 A曾讲述过一种具有2晶体管/2电容器类型的存储单元的FRAM。在该FRAM中，每个存储单元的两个存储电容器都具有铁电的电介质。

本发明所基于的任务在于，提供一种具有可写存储单元的集成存储器的工作方法，利用该方法可以确定在所述存储器的预先工作当中是否会发生功能干扰。本发明的另一任务是提供一种执行该工作方法的相应集成存储器。

该任务由权利要求1所述的工作方法或权利要求3所述的集成存储器来实现。本发明优选的扩展或改进方案由从属权利要求给出。

根据本发明，所述的集成存储器具有一种安全存储单元，在对标准存储单元进行访问时同样还读出该安全存储单元。如果读取所述安全存储单元内所存储的安全信息得到如下结果，即该信息的逻辑状态与所述安全信息先前写入到所述安全存储单元之中的逻辑状态不一致，则产生一个相应的出错信号。于是该出错信号表明，没有用正确地存储所述具有已知第二逻辑状态的安全信息。由于存储器的这种功能干扰有可能也已经影响到恰好需要从存储单元读出的数据的存储，所以该出错信号适合作为该集成存储器的操作者的相应警告。

如果在读出安全存储单元时没有检测到存储器的功能干扰，也就是说所述的安全信息具有第二逻辑状态，则向所述的安全存储单元输入一个重新存储的、且具有所述第二逻辑状态的安全信息。在此，如果没有产生功能干扰，该安全信息就可以利用第二逻辑状态写入到所述的安全存储单元之中。相反，如果产生了功能干扰，则所述被写入的安全信息不是第二逻辑状态，而是第一逻辑状态。因此，倘若在稍后的时间点上重新执行本发明的工作方法，就可以象上文所述一样检测出该功能干扰，并发出出错信号。

上述方法可以在每次访问存储单元时执行。但是，为了使执行本发明工作方法的时间耗费保持尽可能地小，优选地只在每次初始化所述的存储器时执行。于是，譬如只在第一次读出存储单元时执行。由此可以确定在存储器初始化之前所进行的存储器运行是否会出现功能干扰。

优选地，所述存储器的安全存储单元和存储单元具有相同的结构。这样可以确保：在对所述安全存储单元进行写访问和对所述存储单元之一进行写访问时，存储器的功能干扰可以起到同样的作用。

此外，优选地在从所述的安全存储单元中读出所述的安全信息之后，并且在写入所述新的安全信息之前，在所述的安全存储单元内生成一个第一逻辑状态的数据。这可以确保：在存储器的存储内容在读出过程中没有被破坏的情况下，只有当所述第二逻辑状态的新安全信息被正确地写入时，才会在所述的安全存储单元内存储该第二逻辑状态的数据。

在此，优选地如此来构造所述的安全存储单元，使得其存储内容在所述的读访问时被破坏，这样，该安全存储单元在所述的读访问之后将包含有一个第一逻辑状态的数据，并且与事先所存储的数据无关。由此可以自动地实现在读访问之后在所述的安全存储单元中存储一个第一逻辑状态的数据。也就是说，在该情形下无须专门地向该安全存储单元输入这种数据。对此，实行破坏性读出的所有存储器都是较适合的，譬如DRAM和FRAM。

下面借助示出了实施例的附图来详细讲述本发明。其中：

图1示出了本发明工作方法的流程图，

图2示出了本发明集成存储器的实施例，以及

图3示出了图2所示集成存储器的存储单元及安全存储单元的结构。

图2示出了具有可写存储单元MC和可写安全存储单元SC的FRAM型铁电存储器，所述的存储单元均被布置在位线BL和字线WL的交叉点上。