[发明专利]具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 00805557.2 | 申请日： | 2000-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1345474A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;马场孝明;詹姆斯·S·哈里斯;Jr· | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L33/00;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 减少 分离 利用 第三 氮化物 金属 体系 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
具有第一导电型的、InGaAlN材料的第一包复层，
InGaAlN活性层，和
与第一导电型相反导电型的第二包复层，对各层组成部分的摩尔份数进行选择，以使相分离最小化。
2.一种半导体结构，包括：
具有第一导电型的、InGaAlN材料的第一包复层，
InGaAlN活性层，和
与第一导电型相反导电型的第二包复层，对各层组成部分的结晶增长温度和摩尔份数进行选择，以使相分离最小化。
3.根据权利要求1所述的光发射装置，其中，所有组成层的GaN摩尔份数，x，和AlN摩尔份数，y，满足如下条件：x+1.2y约等于一恒定值。
4.根据权利要求1所述的光发射装置，其中，所有组成层的GaN摩尔份数，x，和AlN摩尔份数，y，满足如下条件：x+1.2y约等于1。
5.一种光发射装置，包括：
没有相分离的、第一导电型的、InGaAlN材料的第一包复层，没有相分离的、InGaAlN活性层，和没有相分离的、第二导电型的、InGaAlN材料的第二包复层，所述InGaAlN第二包复层具有脊结构，所有层均顺序形成。
6.根据权利要求4所述的光发射装置，其中，所有组成层的GaN摩尔份数，x，和AlN摩尔份数，y，满足如下条件：x+1.2y约等于一恒定值。
7.根据权利要求4所述的光发射装置，其中，所有组成层的GaN摩尔份数，x，和AlN摩尔份数，y，满足如下条件：x+1.2y约等于1。
8.一种光发射装置，包括：
一定导电型的GaN第一包复层，所述一定导电型的In1-x1-y1Gax1Aly1N的第二包复层，In1-x2-y2Gax2Aly2N材料的活性层，和相反导电型的In1-x1-y1Gax1Aly1N材料的第三包复层，相反导电型的GaN第四包复层，所有层均顺序地形成，其中x1，x2限定镓的摩尔份数，而y1，y2限定铝的摩尔份数，并且x1，y1，x2，和y2的关系如下：0＜x1+y1＜1，0＜x2+y2＜1，1＜＝x1/0.80+y1/0.89，1＜＝x2/0.80+y2/0.89，并且EgInN(1-x1-y1)+EgGaNx1+EgAlNy1＞EgInN(1-x2-y2)+EgGaNx2+EgAlNy2，式中，EgInN，EgGaN和EgAlN分别为InN，GaN，和AlN的带隙能量。
9.根据权利要求7所述的光发射装置，其中所述活性层为InGaAlN单或多量子阱活性层，其GaN摩尔份数，xw，和AlN摩尔份数，yw，满足如下关系：0＜xw+yw＜1和1＜＝x/0.80+y/0.89。
10.根据权利要求7所述的光发射装置，其中，满足xs+1.2ys约等于一常数这样的条件，其中，xs和ys分别为各InGaAlN组成层中GaN摩尔份数，和AlN的摩尔份数。
11.根据权利要求7所述的光发射装置，其中，满足xs+1.2ys约等于1这样的条件，其中，xs和ys分别为各InGaAlN组成层中GaN摩尔份数，和AlN的摩尔份数。
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