[发明专利]铝合金背面结太阳电池及其制作方法

权利要求书

l.一种太阳电池，包括：

包括n-型电导率的掺杂原子并被受照表面和非受照表面限定的基极层，当所述太阳电池暴露于光能时，所述受照表面具有照射到其上的所述光能，并且所述非受照表面在所述受照表面的对面；

包括铝合金接触并充当p-型电导率层的背面发射极层；以及

配置在所述所述基极层的所述非受照表面和所述背面层之间的p-n结层。

2.如权利要求1的太阳电池，还包括重掺杂n-型层，其配置在基极层的受照表面附近。

3.如权利要求2的太阳电池，其中重掺杂n-型层包括磷原子。

4.如权利要求2的太阳电池，还包括抗反射层，其配置在重掺杂n-型层的附近。

5.如权利要求4的太阳电池，还包括金属接触，其烧制通过抗反射膜以到达重掺杂n-型层。

6.如权利要求5的太阳电池，其中金属接触包括银并充当基极层的欧姆接触。

7.如权利要求5的太阳电池，其中金属接触具有1μm至20μm的厚度。

8.如权利要求1的太阳电池，其中空穴通过所述基极层的扩散长度稍微小于基极层的厚度。

9.如权利要求8的太阳电池，其中空穴通过所述基极层的扩散长度基本等于所述基极层的厚度。

10.如权利要求9的太阳电池，其中空穴通过基极层的扩散长度超过基极层的厚度。

11.如权利要求10的太阳电池，其中n-型基极层是使用从由定向凝固的铸硅结晶，边缘限定薄膜馈送生长，线带生长，Czochralski，浮区，Bridgeman和蔓状晶生长法组成的组选出一种技术制作的。

12.如权利要求11的太阳电池，其中n-型基极层为蔓状晶硅层。

13.如权利要求12的太阳电池，其中n-型基极层具有在大约5Ω-cm和大约100Ω-cm之间的电阻。

14.如权利要求12的太阳电池，其中n-型基极层具有大约20Ω-cm的电阻。

15.如权利要求12的太阳电池，其中n-型基极层的厚度在大约30μm和大约200μm之间。

16.如权利要求15的太阳电池，其中n-型基极层的厚度大约为100μm。

17.如权利要求1的太阳电池，其中铝合金层充当发射极层的非受照表面的自对准接触。

18.如权利要求17的太阳电池，其中铝合金层是铝-硅共熔金属层。

19.如权利要求17的太阳电池，其中铝-硅共熔金属层具有在大约1μm和大约30μm之间的厚度。

20.如权利要求17的太阳电池，其中铝合金层基本覆盖基极层的非受照表面。

21.如权利要求17的太阳电池，其中铝合金层部分地覆盖基极层的非受照表面。

22.如权利要求21的太阳电池，其中铝合金层以分段的形式部分覆盖基极层的非受照表面，相互交叉的n-型金属接触被配置在分段的铝合金层的间隔中。

23.如权利要求22的太阳电池，还包括邻近金属接触的重掺杂n-型层，以便于连接到基极层上。

24.一种太阳电池的制作方法，包括：

提供基极层，所述基极层具有n-型电导率并被受照表面和非受照表面限定，当所述太阳电池暴露于光能时，所述受照表面具有照射到其上的所述光能，并且所述非受照表面在所述受照表面的对面。

在与所述基极层的所述非受照表面相同的一侧制作p-型电导率的发射极层，以提供重掺杂的p-型发射极层和所述n-型基极层和所述p-型发射极层之间的p-n结。

25.如权利要求24的方法，其中所述的提供基极层包括使用从由Czochralski，浮区，Bridgeman，定向凝固的铸硅结晶，定边喂膜生长法(EFG)，线带生长和蔓状晶生长法组成的组中选出的一种技术，制作n-型电导率的单晶硅衬底。

26.如权利要求25的方法，其中所述的提供基极层包括使用蔓状晶生长法制作n-型电导率的单晶硅衬底。