[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 00807317.1 | 申请日： | 2000-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1350599A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 中岛光一;石塚庆一;熊原吉一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本能源 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，它主要含有In和Zn氧化物，其特征在于，它含有100-2000ppm Sn。
2.一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，它主要含有In和Zn氧化物，其特征在于，它含有100-1000ppm Sn。
3.一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，它主要含有In和Zn氧化物，其特征在于，它含有100-500ppm Sn。
4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，其特征在于，其体电阻是1-5毫欧姆·厘米。
5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，其特征在于，如Fe、Al和Si不可避免的杂质其每种含量均小于10ppm。
6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，其特征在于，晶体粒度是4微米或更小。
7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，其特征在于，晶体粒度是3微米或更小。
8.根据权利要求1-7中任一权利要求所述的用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，其特征在于，晶体粒度是2微米或更小。
9.一种用于生产主要含有In和Zn氧化物的透明导电薄膜的IZO溅射靶的生产方法，其特征在于，含有0.5-25重量％ZnO和100-2000ppm的Sn的In2O3和ZnO混合粉末在1100-1500℃下进行烧结。
10.根据权利要求9所述的用于生产主要含有In和Zn氧化物的透明导电薄膜的IZO溅射靶的制造方法，其特征在于，它含有100-1000ppm Sn。
11.根据权利要求9所述的用于生产主要含有In和Zn氧化物的透明导电薄膜的IZO溅射靶的制造方法，其特征在于，它含有100-500ppm Sn。
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