[发明专利]基于乙烯基环己烷的聚合物

说明书

与目前用于生产光学数据存储介质的聚碳酸酯相比，具有满意的机械性能的基于乙烯基环己烷的聚合物在同样的温度下、宽的低剪切速率范围中具有较高的粘度。

与EP-A 317 263和US 4,911,966所述的那些相比更小和彼此排列更紧密的凹点(pit)的精密模塑以及现今可能的凹槽(groove)的精密模塑，对于＞5Gbytes、尤其＞10Gbytes的高密度数据存储是必要的。

描述于EP-A 317 263的基于乙烯基环己烷的聚合物的制备方法及其作为光盘基质的应用，导致分子量与能够在操作上保证其可靠生产的相比太低(对比例1)。其中描述的均聚物的机械性能不很适于生产光学数据存储介质。

US 4,911,966描述的方法仅能产生部分氢化的产物(＜97％)，而且大部分实施例中的氢化度＜86％。根据该现有技术，部分氢化的体系展示不充分的透明度(DE-AS 11 31 885(＝GB 933596))。所公开的部分氢化的体系是不透明的，因此不适于用作激光束透过的光学基质。部分氢化的体系还有其玻璃化温度依赖于氢化度的缺点。在工业过程中，氢化度的调节和因此光学基质热性能的调节，只能通过大大增加工程工作和费用来重现地实施。

此外，对于大部分在US 4,911,966中所述的部分氢化的产品，其分子量对于操作上可靠的、用于光学数据存储介质的基质的生产来说是远远不够的。

前述各专利说明书都没有提及使用所述基质的凹点和凹槽结构的模塑质量或它们原则上是否存在。

优化的分子量和分子量分布对于满意的机械性能而言是必要的，同时，好的熔体流动性能对于高密度光学数据存储介质的凹点和凹槽结构的模塑是必要的。

可能太高的分子量能导致与凹点和凹槽的模塑相关的问题，因为粘度太高。

包含具有窄分子量分布的基于乙烯基环己烷的聚合物或其与低分子量组分的混合物的本发明基质的区别特征在于好的机械性能和好的熔体流动性能。

借此可以以操作上可靠的方式通过注塑生产光盘，并且该光盘可以进行后续处理，而不会弯曲或破裂。

能够生产层厚度小于1.1mm、例如厚度为0.6mm的同时展示满意的机械性能的较薄基质。

根据这些性能，所述材料可以非常满意地用作光学数据存储介质的基质。

对于不需要例如凹点和凹槽形式的机械压痕的其它光学基质，满意的机械性能也是需要的，包括低水平的双折射性、低惯性矩、高水平的热尺寸稳定性、高弹性模量、低水吸收性和低密度。本发明的基质也满足这些要求。

本发明涉及绝对分子量Mw为100,000-450,000g/mol的乙烯基环己烷聚合物或其与绝对分子量为1000至低于100,000g/mol的低分子量组分的混合物，其中分子量分布的特征是多分散性指数(PDI＝Mw/Mn)为1-3，在300℃和1000s^-1的剪切速率下测定的最大熔体粘度为1000Pa.s。

在多分散性指数的计算中，没有考虑任何可能存在的分子量Mw最高为3000g/mol的低聚物级分。

任何可能存在的分子量最高为3000g/mol的低聚物级分的量占聚合物重量的5％以下。

高分子量聚合物(均聚物)的分子量Mw优选为200,000-450,000gmol^-1、尤其为200,000-400,000gmol^-1。

高分子量共聚物或嵌段聚合物的分子量Mw优选为100,000-400,000gmol^-1、尤其为100,000-250,000gmol^-1。

低分子量组分的分子量Mw通常为1000-100,000gmol^-1、优选为7000-90,000gmol^-1、尤其优选为10,000-90,000gmol^-1。

各组分的分子量分布的特征是多分散性指数(PDI＝Mw/Mn)为1-3。

对于混合物的情况，低分子量组分占高分子量和低分子量聚合物混合物重量的比例一般为最多70重量％、优选5-60重量％、尤其优选10-50重量％。

包含式(I)的重复结构单元的基于乙烯基环己烷的聚合物对于高分子量和低分子量组分都是优选的：

其中