[发明专利]改进的射频功率晶体管

权利要求书

1.一种用于制造硅双极功率高频晶体管的方法，用于确保维持合适的BV_CER的条件，从而避免集电极发射极击穿，其特征在于包括下列步骤：

沿着在构成硅双极晶体管的衬底的半导体片上的硅双极晶体管(1)的至少一侧设置集成电阻(20)，以及

在硅双极晶体管(1)的基极(2)和发射极(3)的端子之间连接所述集成电阻。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在半导体片上形成作为扩散型p⁺电阻(20)的集成电阻的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在绝缘层的顶上产生作为多晶硅或NiCr的集成电阻(20)的步骤。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括在形成至少一个发射极镇流电阻(8)的同时在硅双极晶体管的基极(2)和发射极(3)端子之间制造集成电阻(20)的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括对于被集成在形成硅双极晶体管(1)的半导体片中的至少一个发射极镇流电阻(8)引入旁路电容的步骤。

6.一种确保维持合适的BV_CER的条件从而避免集电极发射极击穿的功率晶体管器件，其特征在于，

沿着在构成硅双极晶体管的衬底的半导体片上的硅双极晶体管(1)的至少一侧的集成电阻(20)，所述集成电阻被连接在硅双极晶体管(1)的基极(2)和发射极(3)的端子之间。

7.如权利要求6所述的功率晶体管器件，其特征在于，所述集成电阻(20)是在半导体片上的扩散型p⁺电阻，借以确保基极/发射极电压总是小于集电极电压。

8.如权利要求6所述的功率晶体管器件，其特征在于集成电阻(20)是在绝缘层的顶上设置的多晶硅或NiCr电阻。

9.如权利要求6所述的功率晶体管器件，其特征在于，所述晶体管(1)是包括互相交叉结构的射频功率晶体管，其具有集成的发射极镇流电阻(8)，用于阻止热失控。

10.如权利要求9所述的功率晶体管器件，其特征在于，所述射频功率晶体管的每个集成的发射极镇流电阻(8)具有集成的旁路电容，用于增加射频功率晶体管的增益。