[发明专利]带有改进的接触点的电可编程存储器元件

权利要求书

1.电可编程的、单个存储单元的存储器元件，包括：

位相改变存储器材料体；以及

第一和第二接触点，用于提供电信号给所述存储器材料，所述第一接触点包括导电侧壁隔板。

2.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板是与所述存储器材料相邻的。

3.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板具有与所述存储器材料相邻的边缘。

4.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板的顶部是与所述存储器材料相邻的。

5.权利要求4的存储器元件，其中所述存储器材料是在所述导电侧壁隔板上形成的、基本上水平放置的存储器层。

6.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板被形成在侧壁面上。

7.权利要求6的存储器元件，其中所述侧壁面从包含沟槽侧壁面、通道侧壁面、和小柱侧壁面的组中被选择。

8.权利要求6的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板是通过把至少一个接触层沉积在侧壁面以及蚀刻所述至少一个接触层而被形成的。

9.权利要求8的存储器元件，其中所述至少一个接触层是第一接触层和第二接触层，其中所述第一接触层被沉积在所述侧壁面上，以及所述第二接触层被沉积在所述第一接触层上。

10.权利要求8的存储器元件，其中所述沉积是共形的沉积。

11.权利要求8的存储器元件，其中所述蚀刻是非均质的蚀刻。

12.权利要求8的存储器元件，其中所述第一接触层的电阻率小于所述第二接触层的电阻率。

13.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板包括第一侧壁层，以及被形成在所述第一侧壁层上的第二侧壁层。

14.权利要求13的存储器元件，其中所述第一侧壁层的电阻率小于所述第一接触层的电阻率。

15.权利要求13的存储器元件，其中所述第一侧壁层是与所述存储器材料相邻的。

16.权利要求15的存储器元件，其中所述第二侧壁层是远离所述存储器材料。

17.权利要求4的存储器元件，其中所述第二侧壁层的顶部是与所述存储器材料相邻的。

18.权利要求11的存储器元件，其中所述第一侧壁层的顶部是远离所述存储器材料。

19.权利要求1的存储器元件，其中所述导电侧壁隔板具有与所述存储器材料相邻的变窄的宽度。

20.权利要求1的存储器元件，其中所述存储器材料体包括至少一个硫族。

21.权利要求20的存储器元件，其中所述至少一个硫族是从包含Te和Se的组中选择的。

22.权利要求20的存储器元件，其中所述存储器材料还包括从包含Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P，O以及它们的混合物或合金的组中被选择的至少一个元素。

23.权利要求20的存储器元件，其中所述存储器材料还包括至少一个过渡金属元素。

24.电运行的存储器元件，包括：

位相改变存储器材料体；以及

第一和第二接触点，用于提供电信号给所述存储器材料，所述第一接触点包括具有与所述存储器材料体相邻的边缘的接触层。

25.权利要求24的存储器元件，其中所述接触层是薄膜层。

26.权利要求24的存储器元件，其中所述接触层基本上垂直地放置。

27.权利要求24的存储器元件，其中所述接触层是平板。

28.权利要求27的存储器元件，其中所述接触层基本上水平地放置。

29.权利要求24的存储器元件，其中所述接触层被形成在侧壁面上。

30.权利要求29的存储器元件，其中所述侧壁面从包含沟槽侧壁面、通道侧壁面、和小柱侧壁面的组中被选择。