[发明专利]在电感耦合的等离子体内改善等离子体分布及性能的设备无效

专利信息
申请号: 00808090.9 申请日: 2000-03-23
公开(公告)号: CN1353859A 公开(公告)日: 2002-06-12
发明(设计)人: 约瑟夫·布里卡 申请(专利权)人: 东京电子有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电感 耦合 等离子 体内 改善 等离子体 分布 性能 设备
【权利要求书】:

1.一种采用等离子体处理衬底的处理系统,该系统包括:

一个处理室,该处理室确定了一个处理空间并且包括在处理空间内支承着衬底的衬底支承件;

一个将处理气导入上述处理空间的气体入口;

一个在处理空间内的、自处理气体产生等离子体的等离子体源,该等离子体源包括:

一个具有一般平表面的介电窗,该介电窗与处理室的接界靠近处理空间;

一置于室外并靠近介电窗的电感元件,该电感元件可耦合电能穿过介电窗进入处理空间并在其中产生等离子体;

该电感元件包括一具有复合线圈匝沿线圈长度方向连续排列的线圈,至少一个上述线圈匝定位于第一平面,至少一个上述线圈匝定位于与第一平面成一定角度的第二平面上。

2.权利要求1的处理系统,其中,上述第一平面一般平行于介电窗的平坦表面。

3.权利要求1的处理系统,其中,上述电感元件包括另外一个定位于第一平面的线圈匝,第二平面上的线圈匝一般置于第一平面线圈匝之间。

4.权利要求1的处理系统,其中,上述电感元件包括定位于第一平面的复合线圈匝。

5.权利要求1的处理系统,其中,上述电感元件包括定位于与第一平面成一定角度平面上的复合线圈匝。

6.权利要求1的处理系统,其中,至少一个上述线圈匝具有一个半圆形。

7.权利要求1的处理系统,其中,至少一个上述线圈匝具有一个矩形。

8.权利要求1的处理系统,进一步包括至少一个线圈匝定位于一个介于第一和第二平面之间成一定角度的第三平面上。

9.权利要求1的处理系统,其中,上述第一平面上的线圈匝确定了一个线圈内端和一个线圈外端,第二平面上的线圈匝连接到第一平面线圈匝的外端。

10.权利要求1的处理系统,其中,上述第一平面上的线圈匝确定了一个线圈内端和一个线圈外端,第二平面上的线圈匝连接到第一平面线圈匝的内端。

11.权利要求1的处理系统,其中,电感元件进一步包括一个一部分定位于第一平面和一部分定位于第二平面的线圈匝。

12.权利要求1的处理系统,其中,上述第二平面一般垂直于第一平面。

13.权利要求1的处理系统,其中,上述处理室具有一个介电材料形成的侧壁单元,处理系统进一步包括:

一个第二电感元件,其置于靠近侧壁单元的地方进一步耦合电能通过侧壁单元进入处理空间。

14.权利要求13的处理系统,其中,上述第二电感元件包括一在室侧壁单元周围缠绕的线圈。

15.权利要求13的处理系统,其中,第一和第二感应元件各自连接到一个电源,以将电能耦合入处理空间,电源各自可独立工作,从而独立偏压第一和第二电感元件。

16.权利要求13的处理系统,进一步包括一置于上述第二电感元件与处理空间之间的法拉弟屏蔽部件。

17.权利要求1的处理系统,进一步包括一置于电感元件与处理空间之间的法拉弟屏蔽部件。

18.权利要求1的处理系统,进一步包括一于处理室内配置、用来支持一材料靶的固定架。

19.一种采用等离子体处理衬底的处理系统,该系统包括:

一个处理室,该处理室确定了一个处理空间并且在处理空间内包括支承衬底的衬底支承件;

一个将处理气导入上述处理空间的气体入口;

一个在处理空间内自处理气体产生等离子体的等离子体源,该等离子体源包括:

一个具有平表面的介电窗,该介电窗与处理室的接界靠近处理空间;

一置于室外并靠近介电窗的电感元件,该电感元件可耦合电能穿过介电窗进入处理空间并在其中产生等离子体;

该电感元件包括一具有复合线圈匝的线圈,电感元件的第一和第二线圈匝部分定位于有一定间隔并且基本上平行的平面上,以形成叠加线圈匝,该叠加线圈匝一般平行于上述介电窗的平表面。

20.权利要求19的处理系统,其中,电感元件包括多套叠加线圈匝。

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