[发明专利]具有改进的处理流体流的处理腔的工件处理装置

权利要求书

1.一种微电子工件浸入处理容器，其包括：

一个向所述工件的至少一个表面提供处理流体流的主流体流动腔；

多个向主流体流动腔提供处理流体流的喷口，所述多个喷口布置成可提供竖直和径向流体流分量，这些流体流分量可联合形成径向流过工件的所述至少一个表面的大致均匀的法向流体流分量。

2.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其中，所述多个喷口布置成可使大致均匀的法向流体流分量在径向中部位置处略大，从而形成弯液面，以有助于避免在工件与处理容器中的处理流体表面接触时夹带有空气。

3.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其还包括一个设置在位于多个喷口前方的处理流体流动通道中的前腔，该前腔的尺寸设计成可有助于将处理流体中夹带的气体除去。

4.根据权利要求3所述的微电子工件浸入处理容器，其还包括一个设置在前腔和多个喷口之间的流体流动通道中的流入腔。

5.根据权利要求3所述的微电子工件浸入处理容器，其中，前腔包括一个入口部分和一个出口部分，入口部分的横截面小于出口部分的横截面。

6.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其中，所述多个喷口中的至少几个喷口大致为水平的孔口。

7.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其中，所述主流体流动腔由一个或多个侧壁限定而成，所述多个喷口中的至少几个穿过所述一个或多个侧壁进行设置。

8.根据权利要求7所述的微电子工件浸入处理容器，其中，所述主流体流动腔在其上部包括一个或多个轮廓侧壁，以避免在处理流体流向主流体流动腔的上部与微电子工件表面接触时流体流产生分离。

9.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其中，主流体流动腔在其上部由一个倾斜的壁限定而成。

10.根据权利要求1所述的微电子工件浸入处理容器，其中，主流体流动腔还包括一个设置在其下部的入口，该入口的结构可形成文氏管效应，以便于处理流体流在主流体流动腔的下部循环回流。

11.一种用于对微电子工件的至少一个表面进行浸入处理的反应器，该反应器包括：

一个反应器头部，该头部包括工件支承装置；

一个处理容器，该处理容器包括多个倾斜地设置在主流体流动腔侧壁上的喷口，且所述喷口位于在浸入处理过程中所正常包含的处理流体液面下方的所述主流体流动腔内的一个水平面位置处。

12.根据权利要求11所述的反应器，其还包括一个设置在处理容器下部的电极，以便于使供电装置与处理流体之间形成电连接。

13.根据权利要求12所述的反应器，其中，处理容器在其上部由一个倾斜的壁限定而成，处理容器还包括至少一个在固定位置上与所述倾斜的壁对齐的另外的电极，以便于使供电装置与处理流体之间形成电连接。

14.根据权利要求11所述的反应器，其还包括一个马达，至少在对微电子工件的所述至少一个表面进行处理过程中，该马达使所述工件支承装置和相关的微电子工件转动。

15.一种用于对微电子工件进行浸入处理的反应器，该反应器包括：

一个处理容器，所述处理容器具有一个处理流体入口，处理流体经该入口流入处理容器中，处理容器还具有一个形成溢流件的上缘，处理流体从溢流件上方流出处理容器；

至少一个螺旋流动腔，该流动腔设置在处理容器的外部来接受从溢流件上方流出处理容器的处理流体。

16.根据权利要求15所述的反应器，其中，螺旋流动腔设置在处理容器的外侧壁周围并围绕该外侧壁。

17.根据权利要求16所述的反应器，其中，处理容器包括一个或多个围绕其外侧壁的凸起，该凸起至少部分地限定了所述螺旋流动腔。

18.根据权利要求17所述的反应器，其中，反应器还包括一个位于处理容器外部的外部容器，外部容器的内侧壁与所述一个或多个凸起相配合，并在其间限定了所述螺旋流动腔。