[发明专利]低温牺牲氧化物的生成

权利要求书

1.一种沉积牺牲氧化物以制备半导体器件的方法，包括步骤：

在半导体晶片上制备P型硅掺杂区以便在P型硅掺杂区上沉积牺牲氧化物半导体；

将晶片放在电化学槽中，使得含有电解质的溶液与P型硅掺杂区发生反应，当晶片与溶液之间有电位势差时，在P型硅掺杂区上生成牺牲氧化物；和

用牺牲氧化物层来处理晶片。

2.权利要求1所述的方法，还包括步骤：在晶片和溶液之间施加电压以产生电位势差，利用所施加的电压来控制牺牲氧化物的厚度。

3.权利要求1所述的方法，其中的溶液包括水。

4.权利要求1所述的方法，其中的电解质包含离子化合物。

5.权利要求1所述的方法，其中将晶片放在电化学槽中的步骤包括步骤：

将晶片放在电化学槽中使得晶片有一个暴露的表面区，该表面区上包含P型硅掺杂区；和

在溶液中提供记数器电极，该记数器电极的表面暴露面积与晶片的表面暴露面积基本相同。

6.权利要求5所述的方法，其中将晶片放在电化学槽中的步骤包括：密封晶片的非暴露区以防止与溶液接触。

7.权利要求1所述的方法，其中将晶片放在电化学槽中的步骤包括使晶片包含P掺杂硅区的前表面暴露于氧化室并且晶片的后表面暴露于第二溶液，该溶液传送电位势给晶片以引发位势差。

8.权利要求1所述方法，其中包含电解质的溶液与P掺杂硅的区域发生根据以下方程式的反应：

9.权利要求8所述方法，其中的反应发生在室温附近。

10.权利要求1所述的方法，其中的处理步骤包括步骤：

在半导体晶片衬底上刻蚀沟槽其中表面具有第一光平滑度；

在沟槽中生成牺牲半导体层；

对牺牲氧化物层刻蚀所生成表面的平滑度高于第一平滑度。

11.权利要求1所述的方法，其中的处理步骤包括步骤：

在半导体晶片衬底表面生成牺牲氧化物半导体层；和

用牺牲氧化物层将掺杂质与表面部分屏蔽开。

12.权利要求1所述方法，其中的处理步骤包括步骤：

在半导体晶片衬底上刻蚀沟槽；

在沟槽中生成氧化物区；

刻蚀氧化物区以扩展沟槽。

13.一种通过电化学方式生成牺牲氧化物半导体的方法，包括步骤：

暴露硅衬底的P型掺杂部分；

将硅衬底放置在电化学槽中，电化学槽包括其中含有已溶解电解质的溶液；和

施加第一电位势给硅衬底和施加第二电位势给溶液以便在它们之间生成电位势差使得牺牲氧化物层通过电化学方式沉积在衬底的暴露的P型掺杂区；

采用牺牲氧化物层对晶片进行处理；和

清除牺牲氧化物层。

14.权利要求13所述方法，其中的电位势差被用来控制牺牲氧化物层的厚度。

15.权利要求13所述方法，其中的溶液包括水。

16.权利要求13所述方法，其中的电解质包含离子化合物。

17.权利要求11所述方法，其中将硅衬底放置在电化学槽中的步骤包括：

将硅衬底放置在电化学槽中使得该衬底有一个暴露表面区，该暴露表面区包括暴露的P掺杂部分；和

在溶液中提供一个记数器电极，该电极表面的暴露面积与衬底表面的暴露面积基本相同。

18.权利要求17所述的方法，其中将硅衬底放置在电化学槽中的步骤包括将衬底的非暴露区密封以防止与溶液接触的步骤。

19.权利要求13所述的方法，其中将硅衬底放置在电化学槽中的步骤包括将硅衬底放置在电化学槽中使得包括P掺杂部分的衬底前表面暴露于氧化室并且晶片的后表面暴露于第二溶液，该溶液传送第一电位势给衬底以产生电位势差。

20.权利要求13所述的方法，其中包含电解质的溶液与P型掺杂部分作用发生以下反应方程式所代表的反应：

21.权利要求20所述的方法，其中的反应发生在室温附近。