[发明专利]具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图无效
申请号: | 00808639.7 | 申请日: | 2000-05-18 |
公开(公告)号: | CN1355937A | 公开(公告)日: | 2002-06-26 |
发明(设计)人: | R·拉蒂乌斯 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术北美公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 纵向 晶体管 存储 单元 布线 | ||
1.一种具有纵向晶体管的存储器件,包括:
在所有面上与相邻有源区焊盘隔离的有源区焊盘,该有源区焊盘具有与其相结合的一组沟槽电容器,该组沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接,构成的有源区焊盘连接该组沟槽电容器与第一触点;和
设置在一组有源区焊盘之间的栅导体焊盘,用来激发与栅导体焊盘相邻的每个有源区焊盘中的至少一个纵向晶体管,通过第二触点激发每个栅导体焊盘,使得当通过第二触点激发栅导体焊盘时,每个有源区焊盘中的所述至少一个纵向晶体管导通以提供进入沟槽电容器的通道,并传输第一触点和沟槽电容器之间的状态。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,有源区焊盘和栅导体焊盘的形状是正方形、圆形和三角形之一。
3.如权利要求1所述的器件,其特征在于,第一触点与第一金属化层连接,第二触点与第二金属化层连接。
4.如权利要求3所述的器件,其特征在于,第一金属化层包含第一金属线,第二金属化层包含第二金属线,其中第一金属线和第二金属线具有实质上相等的间距。
5.如权利要求3所述的器件,其特征在于,第一金属化层包含第一金属线,第二金属化层包含第二金属线,其中第一金属线和第二金属线都设置为之字图形。
6.如权利要求1所述的器件,其特征在于,有源区焊盘和栅导体焊盘设置为棋盘图形。
7.如权利要求1所述的器件,其特征在于,第一触点与位线连接,第二触点与字线连接。
8.如权利要求1的器件,其特征在于,该器件可分为存储单元,使得存储单元具有大约4F2和大约6F2的面积。
9.一种具有纵向晶体管的存储器件,包括:
基本上是正方形的有源区焊盘,在有源区焊盘的每个角处形成有沟槽电容器,沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接,构成有源区焊盘以便当纵向晶体管导通时连接沟槽电容器和第一触点;和
在四个有源区焊盘之间设置实质上是正方形的栅导体焊盘,使得栅导体焊盘的角与四个有源区焊盘的相邻角重叠,采用栅导体焊盘来激发一个纵向晶体管,该纵向晶体管和与栅导体焊盘重叠的每个有源区焊盘的角相应,通过第二触点激发栅导体焊盘,使得当栅导体焊盘通过第二触点激发时,每个有源区焊盘中的一个纵向晶体管导通以便提供进入沟槽电容器的通道,并且传输第一触点和沟槽晶体管之间的状态。
10.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,第一触点与第一金属化层连接,第二触点与第二金属化层连接。
11.如权利要求10所述的存储器,其特征在于,第一金属化层和第二金属化曾具有实质上相等的间距。
12.如权利要求10所述的存储器,其特征在于,第一金属化层和第二金属化层都以之字图形设置。
13.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,有源区焊盘和栅导体焊盘都以棋盘图形设置。
14.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,第一触点与位线连接,第二触点与字线连接。
15.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,该存储器可分为存储单元,使得存储单元具有大约4F2和大约6F2之一的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的