[发明专利]由聚合物的分解获得的低介电纳米孔材料

权利要求书

1.一种包含一种旋涂玻璃材料的低介电纳米孔薄膜，所述薄膜已由一种包含下列步骤的方法生产：

(a)制备一种由至少一种旋涂玻璃材料与一种可热降解聚合物在一种相容性溶剂中的混合物，

(b)将步骤(a)的混合物涂布到一种基体上以形成一种带涂层基体，

(c)将步骤(b)中的带涂层基体在一个或多个温度下加热一段时间以有效地形成所需的低介电纳米孔薄膜。

2.权利要求1的低介电纳米孔薄膜，其介电常数为约1.5-约3.8。

3.权利要求1的低介电纳米孔薄膜，其折光指数为约1.15-约1.40。

4.从一种分子式为I的旋涂玻璃基材形成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜：

        [(SiO₂)_x-(R₁SiO_1.5)_y-(R₂R₃SiO)_z]_n     分子式I其中，x，y，z和n都是具有独立值的正整数，R₁，R₂和R₃独立地为H或有机基团，且R₁，R₂和R₃中至少有一个是H；以及1≥x≥0；1≥y≥0；1≥z≥0，条件是x+y+z为1.0。

5.权利要求4的低介电纳米孔薄膜，其中有机部分是C₁-C₆烷基，以及n为约100-约800。

6.从分子式II的一种氢硅氧烷旋涂玻璃基材制成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜

        [(HSiO_1.5)_(a)O_(b)]_n                        分子式II其中(a)为约6-约20，(b)为约1-约3，(c)为约6-约20，以及n为1-约4000。

7.从分子式III的一种氢化有机硅氧烷旋涂玻璃基材制成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜

        [(HSiO_1.5)_(a)O_(b)(RSiO_1.5)_(c)]_n             分子式III其中，(a)为约6-约20，(b)为约1-约3，(c)为约6-约20，以及n为约1-约4000，以及当n＞1时，每个R独立地为H，C₁-C₈烷基或C₆-C₁₂芳基。

8.从选自下列一组的烷基硅氧烷旋涂玻璃基材制成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜：氢甲基硅氧烷、氢乙基硅氧烷、氢丙基硅氧烷、氢丁基硅氧烷、氢叔丁基硅氧烷、氢苯基硅氧烷和它们的组合。

9.从选自下列一组的烷基硅氧烷旋涂玻璃基材制成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜：氢倍半硅氧烷、氢甲基倍半硅氧烷、氢乙基倍半硅氧烷、氢丙基倍半硅氧烷、氢丁基倍半硅氧烷、氢叔丁基倍半硅氧烷、氢苯基倍半硅氧烷以及它们的组合。

10.由一种分子式IV的聚氢化倍半硅氧烷旋涂玻璃基材形成的权利要求1的低介电纳米孔薄膜

        (HSiO_3/2)n                         分子式IV其中n是一个约10-约4,000的整数。

11.权利要求1的低介电纳米孔薄膜，其中所述可热降解聚合物的分子量为约200-约2,000,000道尔顿。

12.权利要求11的低介电纳米孔薄膜，其中所述可热降解聚合物的分子量为约1000-约30,000道尔顿。

13.权利要求1的低介电纳米孔薄膜，其中所述相容性溶剂是一种非极性溶剂，以及所述可热降解聚合物能溶于该非极性溶剂中并能与旋涂玻璃材料相混溶。