[发明专利]电子束照射设备和方法无效
申请号: | 00809466.7 | 申请日: | 2000-06-30 |
公开(公告)号: | CN1358108A | 公开(公告)日: | 2002-07-10 |
发明(设计)人: | 内藤仪彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | B01D53/00 | 分类号: | B01D53/00;B01D53/60;H01J37/32;B01D53/34;B01D53/50;B01D53/74;B01D53/76;B01D53/78;B01D53/79;B01J19/08;A62D3/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 施泽华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 照射 设备 方法 | ||
1.电子束照射设备包括:
用于发射电子的电子束源;
用于加速所述电子束源发射的电子的加速管;
通过将磁场施加到在所述加速管中形成高能量的电子束,控制电子束直径的聚焦电磁铁;
通过将磁场施加到所述电子束,偏转和扫描所述电子束的电磁铁;以及
允许所述电子束经过的照射窗口;
其中所述电子束由所述聚焦电磁铁聚焦在聚焦点,使得所述电子束收敛一次并且随后发散,然后经过所述照射窗口向外发射。
2.如权利要求1所述的电子束照射设备,其中,所述电子束的聚焦点被定位在所述电子束经过用于扫描所述电子束的所述磁场之后的位置。
3.如权利要求2所述的电子束照射设备,其中通过控制提供到所述聚焦电磁铁的电流值来调节所述聚焦点的位置。
4.电子束照射方法包括:
通过将磁场施加到所述电子束,控制具有高能量的电子束的直径;
采用聚焦电磁铁,通过将磁场施加到所述电子束,偏转和扫描控制了直径的所述电子束;以及
经过照射窗口将所述电子束向外发射;
其中所述电子束被所述聚焦电磁铁聚焦在聚焦点,使得所述电子束收敛一次并且随后发散,然后经过所述照射窗口向外发射。
5.如权利要求4所述的电子束照射方法,其中,所述电子束的聚焦点定位在所述电子束经过用于扫描所述电子束的所述磁场之后的位置。
6.如权利要求5所述的电子束照射方法,其中通过控制提供到所述聚焦电磁铁的电流值来调节所述聚焦点的所述位置。
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