[发明专利]半导体加工设备的防腐组件及其制造方法

权利要求书

1.一种对半导体加工设备组件的金属表面进行镀涂的方法，该方法包括：

(a)在半导体加工设备组件的金属表面沉积磷镍镀层；

(b)在所述磷镍镀层上沉积陶瓷镀层，其中所述陶瓷镀层构成最外层表面。

2.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述磷镍镀层是通过化学镀而被沉积上的。

3.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述组件包括等离子体腔室侧壁，且所述磷镍镀层被沉积在所述侧壁暴露的内表面上。

4.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述陶瓷镀层包括Al₂O₃、SiC、Si₃N₄、BC或AlN。

5.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述磷镍镀层包括约9-12wt％的磷。

6.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述磷镍镀层的厚度为约0.002-0.004英寸。

7.如权利要求1所述的镀涂方法，其进一步包括在沉积所述陶瓷镀层之前，对磷镍镀层进行表面糙化处理，所述陶瓷镀层是通过等离子体喷镀所述陶瓷镀层于所述磷镍镀层上而被沉积的，以便全部或部分覆盖所述磷镍镀层。

8.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述陶瓷镀层的厚度为约0.005-0.040英寸。

9.如权利要求1所述的镀涂方法，其中所述金属表面是经过阳极化处理或未经阳极化处理过的铝或铝合金，且所述陶瓷镀层是Al₂O₃、SiC、Si₃N₄、BC或AlN。

10.一个半导体加工设备的组件，其包括：

(a)金属表面；

(b)在所述金属表面上的磷镍镀层；和

(c)在所述磷镍镀层上的陶瓷镀层，其中所述陶瓷镀层构成最外层表面。

11.如权利要求10所述的组件，其中所述金属表面是经过阳极化处理或未经阳极化处理过的铝或铝合金。

12.如权利要求10所述的组件，其中所述陶瓷是Al₂O₃、SiC、Si₃N₄、BC或AlN。

13.如权利要求10所述的组件，其中所述磷镍镀层中含有约9-12wt％的磷。

14.如权利要求10所述的组件，其中所述磷镍镀层的厚度为约0.002-0.004英寸。

15.如权利要求10所述的组件，其中所述陶瓷镀层是等子体喷镀的氧化铝镀层，其厚度为约0.005-0.030英寸。

16.如权利要求10所述的组件，其中所述组件为等离子体腔室壁。

17.如权利要求10所述的组件，其中所述陶瓷镀层是抗开裂的。

18.如权利要求10所述的组件，其中所述磷镍镀层包括与陶瓷镀层接触的经糙化的表面，且该陶瓷镀层是热喷镀镀层。

19.如权利要求18所述的组件，其中所述陶瓷镀层是氧化铝，且金属表面是经过阳极化处理或未经阳极化处理过的铝或铝合金。

20.一种在包含权利要求10的组件的等离子体腔室中加工半导体基片的方法，该方法包括使半导体基片的暴露表面与等离子体接触。