[发明专利]用于快速WCDMA获取的方法和设备有效
申请号: | 00809829.8 | 申请日: | 2000-06-28 |
公开(公告)号: | CN1359563A | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
发明(设计)人: | S·萨卡 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/707 | 分类号: | H04B1/707 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 快速 wcdma 获取 方法 设备 | ||
1.一种接收信号的方法,所述方法包括下列步骤:
a)通过设置主同步码(PSC)取样累加缓冲器和次同步码(SSC)取样累加缓冲器的存储值为零而对它们清零;
b)把第一组所接收取样累加到所述PSC取样累加缓冲器中以形成一组PSC累加值;
c)根据所述PSC取样累加缓冲器的内容形成第一时隙定时估计值;
d)根据所述第一时隙定时估计值把第二组所接收取样累加到所述SSC取样累加缓冲器中以形成一组SSC累加值;
e)把所述第二组所接收取样累加到所述PSC取样累加缓冲器中;
f)执行测试,以确定所述第一时隙定时估计值的有效性;
g)根据所述SSC取样累加缓冲器的内容执行第一SSC解码,并根据通过所述测试发现的第一时隙定时估计值的有效性产生一组SSC码符号;以及
h)根据所述SSC码符号执行第二SSC解码,以产生SSC码字。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤b)中的累加取样是在预定的时间持续期上执行的。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预定的持续期是一帧。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预定的持续期大于一帧长度的3倍。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成第一时隙定时估计值的所述步骤c)进一步包括下列分步骤:
c.1)使所述PSC取样累加缓冲器的内容与PSC序列相关,对于存在于所述PSC取样累加缓冲器中的每个取样偏移产生一PSC相关能量;以及
c.2)识别对应于最大的所述相关能量的取样偏移作为所述第一时隙定时估计值。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤c.1)中的相关是利用数字匹配滤波执行的。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤f)包括下列分步骤:
f.1)使所述最大的所述相关能量除以次最大的所述相关能量,以产生相关能量比值;以及
f.2)如果所述相关能量比值大于预定的相关能量阈值,则得出所述第一时隙定时估计值是有效的结论。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述次最大的相关能量是从在组相关能量选择出的,其取样偏移与所述最大的所述相关能量相关联的偏移不是紧邻的。
9.如权利要求5所述的方法,其中所述步骤c)进一步包括保存次最大的相关能量,它与具有最大相关能量的储存斗相邻近的储存斗不相关联,以及其中所述步骤f)包括将对应于所述第一时隙定时估计值的相关能量与所述次最大的相关进行比较,如果最大的相关能量与次最大的相关能量的比值大于预定的相关能量阈值则得出所述第一时隙定时估计值是有效的结论。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤c)进一步包括下列分步骤:
c.1)使所述PSC取样累加缓冲器的内容与PSC序列相关,以产生存在于所述PSC取样累加缓冲器中的每个取样偏移的PSC相关能量,并把所产生的PSC相关能量组存储在PSC相关能量缓冲器中;
c.2)根据PSC序列的自动相关函数使所述PSC相关能量缓冲器中的内容与PSC自动相关序列进行相关,以产生存在于所述PSC相关能量缓冲器中的每个取样偏移的PSC自动相关匹配能量;以及
c.2)识别对应于最大的所述自动相关匹配能量的取样偏移,作为所述第一时隙定时估计值。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤f)包括下列分步骤:
f.1)根据所述PSC取样累加缓冲器的内容,形成第二时隙定时估计值;以及
f.2)如果所述第一时隙定时估计值等于所述第二时隙定时估计值,则得出所述第一时隙定时估计值是有效的结论。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤g)包括下列分步骤:
g.1)重复步骤c)到f),直到根据在步骤f)中执行的测试发现所述第一时隙定时估计值是有效的为止;以及
g.2)根据所述第一时隙定时估计值,把所述SSC取样累加缓冲器的内容解码成SSC码符号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00809829.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制造方法与一种半导体器件安装结构
- 下一篇:线性电机