[发明专利]隧道触点及其制造方法

权利要求书

1.隧道触点，具有一个第一电极(1)和一个第二电极(2)以及一个隔离腔(3)，本发明的特征在于，在位于所述第一电极(1)和第二电极(2)之间的所述隔离腔(3)内有气体或真空。

2.如权利要求1所述的沟道触点，其特征在于，所述第一电极(1)和第二电极(2)之间的电流至少部分地隧穿所述气体或真空。

3.如权利要求1所述的沟道触点，其特征在于，在所述第一电极(1)和第二电极(2)之间流动的电流全部隧穿所述气体或真空。

4.如权利要求1至3中任何一项所述的沟道触点，其特征在于，一个存储器(10)的存储器电极(11)可经所述隧道触点充电和/或放电。

5.如权利要求4所述的沟道触点，其特征在于，所述存储器(10)涉及的是一种EPROM类型的存储器，例如EAROM，EEPROM，EPROM，闪存EPROM或OTPROM。

6.如权利要求1至5中任何一项所述的沟道触点，其特征在于，在所述第一电极(1)和隔离腔(3)之间设置一个第一附加隧道层(4)和/或在所述第二电极(2)和隔离腔(3)之间设置一个第二附加隧道层(5)。

7.如权利要求1至6中任何一项所述的沟道触点，其特征在于，所述第一电极(1)具有一个第一区域(6)和/或所述第二电极(2)具有一个第二区域(7)，隧道电流优选穿过所述第一区域(6)或第二区域(7)传输。

8.隧道触点的制造方法，具有以下步骤：

—制造一个第一电极(1)，

—制造一个第二电极(2)，

本发明的特征在于，在所述第一电极(1)和第二电极(2)之间构成一个充有气体或抽真空的隔离腔(3)。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述隧道触点是在一种EPROM类型的存储器内构成的，所述存储器例如是EAROM，EEPROM，EPROM，闪存EPROM或OTPROM。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述第一电极(1)和隔离腔(3)之间设置一个第一附加隧道层(4)和/或在所述第二电极(2)和隔离腔(3)之间设置一个第二附加隧道层(5)。

11.如权利要求8至10中任何一项所述的方法，其特征在于，所述第一电极(1)具有一个第一区域(6)和/或所述第二电极(2)具有一个第二区域(7)，其构成方式是在该装置的工作中，隧道电流优选穿过所述第一区域(6)或第二区域(7)流动。