[发明专利]多层制品及其制造方法无效
申请号: | 00810756.4 | 申请日: | 2000-07-14 |
公开(公告)号: | CN1364321A | 公开(公告)日: | 2002-08-14 |
发明(设计)人: | 张威;马丁·W·鲁皮科;祖雷斯·安纳瓦拉普;莱斯利·G·弗里策迈尔;爱德华·J·西格尔;瓦莱里·普吕尼耶;李齐 | 申请(专利权)人: | 美国超导体公司 |
主分类号: | H01L39/24 | 分类号: | H01L39/24 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉,丁业平 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 制品 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造多层制品的方法,其包括:
对第一材料层的表面进行化学调理以形成一个经调理的表面,所述的第一材料包括选自由缓冲材料和超导体材料组成的组中的一种材料;和
将第二材料层配置到经调理的表面上。
2.权利要求1所述的方法,其中第一材料包括超导体材料。
3.权利要求1所述的方法,其中第一材料包括缓冲材料。
4.权利要求1所述的方法,其中经调理的表面为双轴织构的。
5.权利要求1所述的方法,其中第二材料包括选自由超导体材料和超导体材料的前体组成的组中的一种材料。
6.权利要求1所述的方法,其中第二材料包括缓冲材料。
7.权利要求1所述的方法,其中第二材料包括覆盖材料。
8.权利要求1所述的方法,其中在经调理的表面退火之前将第二材料层配置在经调理的表面上。
9.权利要求1所述的方法,其还包括将第三材料层配置在第二材料层的表面上。
10.权利要求9所述的方法,其还包括,在将第三材料层配置到第二材料层的表面上之前,调理第二材料层的表面。
11.权利要求10所述的方法,其中调理第二材料层的表面包括化学调理第二材料层的表面。
12.权利要求10所述的方法,其中调理第二材料层的表面包括热调理第二材料层的表面。
13.权利要求10所述的方法,其中,在调理第二材料层的表面之后,第二材料层的表面是双轴织构的。
14.权利要求1所述的方法,其还包括热调理经调理的表面。
15.权利要求1所述的方法,其还包括,在化学调理第一材料层的表面之前,在第三材料层的表面上配置第一材料层。
16.权利要求15所述的方法,其中第三材料包括衬底材料。
17.权利要求15所述的方法,其中第三材料层的表面是双轴织构的。
18.权利要求15所述的方法,其中第三材料包括单晶材料。
19.权利要求1所述的方法,其中第二材料具有至少约1×106安培/平方厘米的临界电流密度。
20.一种制造多层制品的方法,其包括
在低于约700乇的氧气气体压力下,将第一材料层的表面加热到一个温度,该温度高于选自第一材料层的分解温度和第一材料层的结晶温度的温度至少约5℃,以形成一个经调理的表面,所述的第一材料包括选自由缓冲材料和超导体材料组成的组中的一种材料;和
在经调理的表面上配置第二材料层。
21.权利要求20所述的方法,其中第一材料包括缓冲材料。
22.权利要求20所述的方法,其中第一材料包括超导体材料。
23.权利要求20所述的方法,其中经调理的表面是双轴织构的表面。
24.权利要求20所述的方法,其中第二材料包括选自由超导体和超导体的前体组成的组中的一种材料。
25.权利要求20所述的方法,其中第二材料包括缓冲材料。
26.权利要求20所述的方法,其中第二材料包括覆盖材料。
27.权利要求20所述的方法,其中第二材料层具有一个双轴织构的表面。
28.权利要求20所述的方法,其中的温度高于选自第一材料层的分解温度和第一材料层的结晶温度的温度约10℃至约500℃。
29.权利要求20所述的方法,其中的温度高于选自第一材料层的分解温度和第一材料层的结晶温度的温度约75℃至约300℃。
30.权利要求20所述的方法,其中氧气气体压力低于约100托。
31.权利要求20所述的方法,其中氧气气体压力低于约1托。
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