[发明专利]聚合方法有效
申请号: | 00810826.9 | 申请日: | 2000-07-24 |
公开(公告)号: | CN1364175A | 公开(公告)日: | 2002-08-14 |
发明(设计)人: | A·B·赫尔米斯;F·D·A·詹尼斯特;R·E·马丁;F·卡希亚里 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | C08G61/10 | 分类号: | C08G61/10;C08G61/02;C09K11/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合 方法 | ||
1.一种制备聚合物或低聚物的方法,包括如下步骤:
(a)通过如下步骤制备包含取代芳族或杂芳族基团的第一单体:
(i)提供被第一和第二定位基团取代的芳族或杂芳族基团;
(ii)在芳族或杂芳族基团上的第一位置进行金属化;
(iii)进行亲电取代以在第一位置提供第一取代基团;和
(b)在反应混合物中将第一单体与至少另外两种各自与第一单体相同或不同的单体在形成聚合物或低聚物的条件下接触;
其中第一和第二定位基团的性质和位置区域选择第一位置。
2.根据权利要求1的方法,其中步骤(a)进一步包括:
(iv)在芳族或杂芳族基团上的第二位置处进行金属化;和
(v)进行亲电取代以在第二位置提供第二取代基;
其中第一和第二定位基团的性质和位置区域选择第二位置。
3.根据前述权利要求任何一项的方法,其中第一和/或第二取代基独立地选自卤化物、B(OH)2、B(OR)2、有机锡烷、烷氧基、烷氧基烷基、烷基、氢氧化物、芳基、杂芳基、甲硅烷基、三氟甲磺酸基和酰氨基,和COCF3。
4.根据权利要求3的方法,其中第一和/或第二取代基独立地选自Br、I、SiMe2C8H17、SiMe2C10H21和SiMe3。
5.根据前述权利要求任何一项的方法,其中金属化通过加入有机锂进行。
6.根据前述权利要求任何一项的方法,其中第一和第二定位基团的性质和位置区域选择与第一定位基团邻位的第一位置。
7.根据权利要求2至6任何一项的方法,其中第一和第二定位基团的性质和位置区域选择与第二定位基团邻位的第二位置。
8.根据前述权利要求任何一项的方法,其中第一和第二定位基团是相同或不同的,且独立地选自烷氧基、烷氧基烷基、酰胺、卤化物、卤烷基、氨基、氨烷基、羧酸酯、氨基甲酸乙酯、氨基甲酸酯、氨磺酰、硫烷基或脲基。
9.根据权利要求8的方法,其中第一和第二定位基团是相同或不同的,且独立地选自CONEt2、CONHCMe2Ph、OCONMeCMe2Ph、OCONEt2、SO2NHCMe2Ph和SO2-tBu。
10.根据前述权利要求任何一项的方法,其中第一和第二定位基团是不同的。
11.根据权利要求1至9任何一项的方法,其中第一和第二定位基团是相同的。
12.根据前述权利要求任何一项的方法,其中芳族或杂芳族基团选自亚苯基、芴、蒽或萘基。
13.根据前述权利要求任何一项的方法,其中步骤(a)进一步包括步骤(vi)将一个或两个定位基团和/或一个或两个第一和第二取代基转化为反应性基团,由此形成具有两个能够参与聚合的反应性基团的单体。
14.根据权利要求13的方法,其中两个反应性基团相互为对位的。
15.根据权利要求13或14的方法,其中各定位基团独立地转化为膦酸酯、羰基、三氟甲磺酸酯或卤甲基。
16.根据权利要求15的方法,其中聚合物或低聚物包括衍生自第一单体的亚芳基亚乙烯基重复单元。
17.根据权利要求16的方法,其中亚芳基亚乙烯基单元包括亚苯基亚乙烯基。
18.根据权利要求13或14的方法,其中各取代基独立地转化为卤化物基团。
19.根据权利要求18的方法,其中聚合物或低聚物包括衍生自第一单体的亚苯基重复单元。
20.一种根据权利要求1至19任何一项定义的方法制备的聚合物或低聚物。
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