[发明专利]电解电容器的阳极、电解电容器和制造阳极的方法

说明书

本发明涉及具有阳极体和阳极导体的电解电容器的一种阳极。此外本发明涉及一种电解电容器，这种电解电容器具有阳极、包围阳极的电介质、设置在电介质上的被膜阴极、由阳极导体形成的一个第一连接片和与被膜阴极相连的一个第二连接片。此外本发明还涉及用于制造阳极的方法。

所述的电容器优先涉及一种芯片电容器。可是本发明也可以毫无问题地应用到例如象无壳体电容器那样的其它电容器上。无壳体电容器拥有微小的结构高度，并且例如集成到混合电路中。但下文是以本发明的电容器是芯片电容器为出发点。

芯片电容器、尤其是钽芯片电容器的特点在于高体积比的电容电压乘积，也称为″CV乘积″。这就是说，在这些电容器中，由电容和施加在电容器上的电压所组成的与体积有关的乘积值是特别大的。芯片电容器的其它有利的性能在于稳定的温度和频率特性、低的剩余电流和小的损耗因数。

由于这些卓越的性能，可以专门将钽芯片电容器用于不同领域中的许多应用。新的应用、要求较高的使用条件和电子装置中的越来越高的小型化使得对芯片电容器的要求不断地提高。

图24以示意剖视图展示了一个常规钽芯片电容器的构造，而在图25中以侧视图展示了这种芯片电容器的阳极体，并且在图26中以俯视图展示了该阳极体。

这种常规的芯片电容器由阳极体1、电介质2和被膜阴极3组成，它们形成了原本的电容器元件。

此外还设置了承担电容器元件的重要防护功能的一个壳体4。

在壳体4内部与一个第一金属连接片6连接的钽金属丝5引向由阳极体1、电介质2和被膜阴极3所组成的电容器元件。借助一种导电粘接剂8将被膜阴极3连接到象金属连接片6那样从壳体4引出的第二金属连接片7上。

在不同大小的、且大多具有标准基面尺寸和结构高度的壳体4内来制造这样的芯片电容器。因而，为了达到较高的CV乘积，必须提高电容器元件或含在此电容器元件中的阳极体1的体积份额。

由于在阳极体1中采用钽金属丝5(对此尤其也请参阅图25和26)作为阳极侧的导体，所以几乎不可能还提高壳体的利用率。也就是说，钽金属丝5的自由末端被焊接到金属连接片6上，在制成的芯片电容器中，此金属连接片6应与另外的金属连接片一起负责通往印刷电路板的电子电路上的电气连接。在这种结构形式中，尤其在正极侧的介于电容器元件和壳体壁之间的间距是特别大的。取决于制造的原因，几乎不可能进一步减小在正极侧的金属连接片6和电容器元件或阳极体1之间的、由钽金属丝5所形成的间距。换言之，在已知的芯片电容器上仍未充分地利用壳体体积。

从文献DD-PS215420中公开了一种钽芯片电容器，其中，将一个阳极导体埋入到通过挤压预制成的、由两部分组成的阳极体中。随后将阳极体与阳极导体烧结。采用两个预挤压的子阳极体的缺点在于，由于制造所决定的偏差而不可能达到阳极体与阳极导体的精确的形状连接。阳极体和阳极导体之间的电接触因此而恶化。

此外从文献DE3634103A1中公开了一种钽芯片电容器，其中金属丝状的阳极导体是由一种钽粉末挤压的。这种电容器具有的缺点是金属丝状阳极导体和阳极体之间接触面较小。由此使电容器产生较高的欧姆电阻，此电阻可能负面地影响电容器的电气值。这种效应是不受欢迎的。

此外从文献US3,903,589中公开了一种钽芯片电容器，通过将阳极导体浸入到含金属粉末的扩散体中来制造此钽芯片电容器的阳极。在将阳极导体从扩散体中抽出时有一液滴挂留在阳极导体上，在此之后干燥和烧结此阳极导体。这种钽芯片电容器具有不能以规定的几何形状制造阳极体的缺点。由于缺少优化的阳极几何形状和具有很宽的公差，该已知的电容器具有较差的体积利用率。

因此本发明的目的在于提供一种在阳极导体和阳极体之间具有大接触面积的阳极，这种阳极的阳极体具有固定的形状，并且在阳极体和阳极导体之间存在着良好的电接触。

本发明提供了电解电容器的一种阳极，它具有固定形状的阳极体和平面的阳极导体，并且可以将由可固化的且可连续变形的材料制成的阳极体形成到阳极导体上。

此外本发明还提供了一种由电介质包围阳极体的电容器，其中在电介质上设置了一个被膜阴极，阳极导体的另一末端段形成为一个第一连接片，并且被膜阴极与一个第二连接片相连接。

本发明的阳极具有这种优点，即通过将可连续变形的材料形式的整个阳极体形成到阳极导体上，可以构造一种对阳极导体具有良好形状连接的、以及对阳极导体具有良好电接触的均匀阳极体。