[发明专利]存储形状记忆合金的方法

权利要求书

1.使一种由形状记忆合金记住两种几何状态的工艺方法，该工艺方法包括：

a)通过对所述的产品进行作用而使所述合金记住第一几何状态，使之在第一温度下达到第一状态并使之在第一温度下保持所述第一状态，然后

b)通过对所述的产品进行作用而使所述合金记住第二几何状态，使之在第二温度下达到第二状态并使之在第二温度下保持所述第二状态。

2.如权利要求1所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于该方法还包括：采用其化学计量比接近于1的镍钛合金作为合金，或者采用一种由所述合金进行加强后的复合材料。

3.如权利要求1或2所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于，所考虑的两个温度中的最高温度在+37℃到+55℃范围之间，而最低的温度在+30℃和-30℃之间。

4.如前述任何一个权利要求所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于，所述第二几何状态为所述产品受到首次培养之前的初始状态。

5.如前述任何一个权利要求所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于该方法包括：在对所述合金进行第一几何状态的培养之后和在对所述合金进行第二几何状态的培养之前，对所述产品进行精加工。

6.如权利要求5所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于，所述精加工步骤包括，例如通过喷砂的方式进行抛光。

7.如权利要求5或6所述的形成记忆的工艺方法，其特征在于，所述精加工步骤包括：在低温下沉积出一层薄的保护层，该保护层由下列材料中的一种构成：

碳化镍

碳化钛

氮化钛

氧化铝

二硫化钼

碳氮化钛(腈化钛)

镍、钛以及铝的三元材料

氮化铬

非晶态的黑金刚石

8.将如权利要求1-7中的任何一个所述的形成记忆的工艺方法应用到一些产品上，这些产品将要通过紧固的方式固定到一元件上，之后又从该元件上拆下来。

9.如权利要求8所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述产品是人体植入物。

10.如权利要求9所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述人体植入物是一些联结夹，这些联结夹包括两个由一中心连接在一起的支腿，所述两支腿在第一几何状态下彼此相向拉近，而在第二几何状态下彼此基本上平行。

11.如权利要求9所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述植入物由一管构成，该管的侧面至少开有一条纵向槽，所述管在所述第一几何状态下要比初始状态下开口要大些，且在所述第二几何状态下，该管处于类似第一几何状态的状态，该状态下其开口相对于初始状态也要大一些。

12.如权利要求9所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述的植入物是窝槽，该窝槽由一种半球形的中空杯构成，该中空杯其侧面上开有之少一条狭缝，该狭缝在第一几何状态下的开口度要比在第二几何状态下宽。

13.如权利要求9所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述植入物为锚钉，该锚钉基本上呈圆柱形，该圆柱形的侧壁上有纵向的凸块，这些凸块可以相对于其基部向外弯曲，所述凸块在所述第一几何状态下处于弯曲位置，而所述凸块在所述第二几何状态下则顺着所述圆柱形的侧面放置。

14.如权利要求8所述的形成记忆的工艺方法的应用，其特征在于，所述产品是一个具有“U”形断面的模具，该模具可以安装到一平杆上，从而形成一股骨茎，所述模具的侧壁在所述第一几何状态下彼此相向拉近，而在所述第二状态下彼此基本平行，所述侧壁在所述第一几何状态下夹紧所述平杆，从而通过夹紧的方式使其固定。