[发明专利]通过两个功率晶体管的交织结构来改善放大器电路内的散热

权利要求书

1.一种放大信号的放大器电路，该电路包括至少两只功率场效应晶体管，第一功率场效应晶体管和不同于第一功率场效应晶体管的第二功率场效应晶体管，第一功率场效应晶体管被布置成放大第一信号而第二功率场效应晶体管被布置成放大第二信号，每一个功率场效应晶体管包括多个单元晶体管，该功率场效应晶体管和单元晶体管具有源极、栅极和漏极，其特征在于：第一功率场效应晶体管的单元晶体管与第二功率场效应晶体管的单元晶体管交替排列，并且包含在第一功率场效应晶体管内和位于包含在第二功率场效应晶体管内的两个单元晶体管之间的每个单元晶体具有它的源极和它的漏极，它的源极直接位于包含在第二功率场效应晶体管内并位于包括在第一功率场效应晶体管内的单元晶体管一侧的单元晶体管的源极；它的漏极位于包含在第二功率场效应晶体管内并位于包含在第一功率场效应晶体管内的单元晶体管的不同的一侧的另一个单元晶体管的漏极。

2.根据权利要求1的放大器电路，其特征在于：该电路被用来放大第一和第二信号，这二个信号之一仅存在于每一瞬间，使得当第一功率场效应管激活时第二功率场效应管为非激活状态，反之亦然，由此，该功率场效应晶体管中激活晶体管的单元晶体管被非激活功率场效应晶体管的单元晶体管所在的空间分隔开。

3.根据权利要求1-2的放大器电路，其特征在于：该电路被用来放大至少两个波长段的信号，第一信号包括在一个波长段内，该波长段同包括第二信号的波长段分开。

4.根据权利要求1-3中任意一项的放大器电路，其特征在于：该单元晶体管占用电路板表面的矩形区，该矩形区具有相对的长边和相对的短边，该单元晶体管的矩形区的一个长边位于另一单元晶体管的矩形区的一个长边。

5.根据权利要求4的放大器电路，其特征在于：第一功率场效应晶体管的单元晶体管的矩形区和/或第二功率场效应晶体管的单元晶体管的矩形区相同。

6.根据权利要求4的放大器电路，其特征在于：第一功率场效应晶体管的单元晶体管的矩形区大于第二功率场效应晶体管的单元晶体管的矩形区。